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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan system

基于System Generator的目標(biāo)跟蹤的算法實現(xiàn)

  • 目標(biāo)跟蹤指的是圖像目標(biāo)跟蹤，它對圖像序列中的動目標(biāo)進(jìn)行檢測、提取、識別和跟蹤，獲得目標(biāo)的運動參數(shù)、運動軌跡，從而進(jìn)一步處理和分析，實現(xiàn)運對動目標(biāo)的行動理解，以完成更高一級的任務(wù)?，F(xiàn)在目標(biāo)的跟蹤運用于社會的各個角落，如國防、道路安檢等，所以它的前景無比巨大。
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  System Generator  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

賽靈思System Generator中的時間參數(shù)

  • 基于模型的設(shè)計(MBD)因其在縮小實時系統(tǒng)抽象的數(shù)學(xué)建模和物理實現(xiàn)之間差距方面的光明前景而備受關(guān)注。通過使用相同的源代碼進(jìn)行算法分析、架構(gòu)探討、行為模擬和硬/軟件設(shè)計，MBD有望縮短系統(tǒng)設(shè)計周期。　　無需通曉硬
  • 關(guān)鍵字： 參數(shù)  時間  Generator  System  

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

e絡(luò)盟宣布引入飛思卡爾半導(dǎo)體公司的塔式系統(tǒng)

  • 首個融合電子商務(wù)與在線社區(qū)的電子元件分銷商e絡(luò)盟及其母公司element14今天宣布引入飛思卡爾半導(dǎo)體公司(Freescale semiconductor)的塔式系統(tǒng)(Tower System)。這是一種適用于8、16和32位微控制器和微處理器的模塊化開發(fā)平臺，可通過快速的原型制作實現(xiàn)高級研發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： element14  微處理器  Tower System  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示

  • 基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示,摘要：采用自頂向下的設(shè)計思想，綜合運用EDA 技術(shù)、CPLD技術(shù)和共享式雙口RAM，解決了大屏幕LED點陣顯示屏無閃爍顯示的技術(shù)難題。給出了系統(tǒng)設(shè)計方法及實際電路。LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中
  • 關(guān)鍵字： 點陣  顯示  LED  System  CPLD  Embedded  基于  

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN  

System C特點及FPGA設(shè)計

  • System C特點及FPGA設(shè)計,一、概述 　　

    SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統(tǒng)設(shè)計的思想進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計。它將軟件算法與硬件實現(xiàn)很好的結(jié)合在一起，提高了整個系統(tǒng)設(shè)計的效率和正確性。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  FPGA  特點  System  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  功率放大器  GaN  一種  

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  
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