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Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購(gòu)將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的智能功率模塊設(shè)計(jì)實(shí)用指南

本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計(jì)提供實(shí)用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)，包含三相變頻段、柵極驅(qū)動(dòng)器等。設(shè)計(jì)構(gòu)思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅(qū)動(dòng)高壓集成電路 (HVIC)、基于先進(jìn)硅技術(shù)的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進(jìn)型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比，SPM 31 v2 的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)，例如商用空調(diào)
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？

隨著企業(yè)向低碳未來(lái)邁進(jìn)，市場(chǎng)越來(lái)越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時(shí)提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運(yùn)而生，并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測(cè)功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過(guò) 70% 仍然來(lái)自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
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一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對(duì)能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對(duì)氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人

基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大，而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本：●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)，在每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè)FET，可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
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將達(dá)100億美元，SiC功率器件市場(chǎng)急速擴(kuò)張

SiC 市場(chǎng)的快速擴(kuò)張主要得益于電動(dòng)汽車的需求，預(yù)計(jì) 2023 年市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng) 60%。
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GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù)，為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案，致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中，GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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帶隙對(duì)決：GaN和SiC，哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)？

電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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SR-ZVS與GaN：讓電源開關(guān)損耗為零的魔法

當(dāng)今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù)，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設(shè)備的普及，用戶對(duì)于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
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