首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gaa fet

日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)

  • 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級半導(dǎo)體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導(dǎo)體器件正變得越來越小型化和復(fù)雜化，并有助
  • 關(guān)鍵字： 日立高新  測試測量  GAA  CFET  

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCP
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

  • 由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測準確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。生物場效應(yīng)管將生物響應(yīng)轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據(jù)設(shè)備上的終端數(shù)量，可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
  • 關(guān)鍵字： 泰克科技  FET  生物傳感器  

EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器,用于電動自行車、機器人和無人機

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
  • 關(guān)鍵字： EPC  GaN FET  電機驅(qū)動器  

GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

  • 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的密度。該項技術(shù)最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個單片3DCFET，
  • 關(guān)鍵字： GAA  CFET  

更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

  • 最先進的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲、搜索和分析越來越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場效應(yīng)晶體管（FE-FETs）是應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場效應(yīng)和電荷積累，實現(xiàn)了長期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個成功的FE-FET設(shè)計可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體芯片  FE-FET  

三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進展

  • 三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導(dǎo)體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進展以及對 SRAM 設(shè)計的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結(jié)構(gòu)。晶體管是電子電路的組成部分，起到開關(guān)的作用，也就是當門極施加電壓時，電流在源極和漏極之間通過通道流動。在晶體管設(shè)計的優(yōu)化過程中，有三個關(guān)鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結(jié)構(gòu)也從平面晶
  • 關(guān)鍵字： 三星  GAA  MBCFET  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  SuperGaN FET  驅(qū)動器  

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

  • 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
  • 關(guān)鍵字： Qorvo  開爾文  FET  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強了高功率應(yīng)用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
  • 關(guān)鍵字： EPC  GaN FET  ARMS  電機驅(qū)動器  

Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  E-mode GAN FET  

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性

  • 當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
  • 關(guān)鍵字： 柵極  FET  

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設(shè)備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
  • 關(guān)鍵字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

三星電子：目標到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

  • IT之家 10 月 21 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力，其目標是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
  • 關(guān)鍵字： 三星  GAA 技術(shù)  

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
  • 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  
共116條 2/8 « 1 2 3 4 5 6 7 8 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473