首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> flash

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

  • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
  • 關鍵字： 文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET  

Flash硬件接口和程序設計中的關鍵技術

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫(yī)療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
  • 關鍵字： 編程  接口  Flash  擦除  

大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計

  • Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
  • 關鍵字： NOR  Flash  接口  單片機  

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

  • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性，結合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。
  • 關鍵字： DSP  Flash  TI  

Flash數(shù)據丟失，說好的數(shù)據去哪了？

  • 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據異常變化。
  • 關鍵字： 電源電壓  Flash  MCU  

麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  • 　　據外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 　　據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 　　他指出，建構數(shù)據中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關鍵字： DRAM  Flash  

盤點+分析：Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少，以及投資成本增加。
  • 關鍵字： Flash  三星  

大陸韓國擴產競賽 Flash后年產能恐過剩

  • 　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 　　目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。 　　稍早三星和美光也都
  • 關鍵字： Flash  晶圓  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 　　SK海力士曾在20
  • 關鍵字： NAND Flash  SK海力士  

Flash數(shù)據為何不翼而飛

  • 　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據異常變化?！　?nbsp;   　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù)，這自然會導致數(shù)據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
  • 關鍵字： Flash  芯片  

NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
  • 關鍵字： NAND Flash  英特爾  

Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

  • 　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
  • 關鍵字： Flash  存儲器  

中國存儲三大勢力成形 各自進擊

  • 　　早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能，就差合肥團隊還未有相關消息，現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 　　中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
  • 關鍵字： 長江存儲  Flash   

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件，是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關鍵字： C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網絡  

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。
  • 關鍵字： Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    
共502條 8/34 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

flash介紹

閃存（Flash ROM）： 是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

熱門主題

Nand-Flash    T-Flash    NANDFlash    ISP/IAPFlash    ROM/Flash/Dis    Run-From-Flash    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473