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競逐eMMC商機　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，F(xiàn)PGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動 FPGA

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計方案

本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機 Flash 擦寫壽命

單片機高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學(xué)單片機”，“我要學(xué)單片機”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機 LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

AVR的主要特性

AVR單片機是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
關(guān)鍵字： AVR單片機 ATMEL Flash

缺少仿真器時avr單片機的開發(fā)方法

對FLASH存貯器單片機，不要仿真機也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級語言開 ...
關(guān)鍵字：仿真器時 avr單片機 FLASH

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8 ...
關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅(qū)動

單片機下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個字節(jié)，一條指令可能有1~4個機器碼，即1~4個字節(jié)，其中1~2機器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
關(guān)鍵字：單片機 RAM ROM Flash

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

　　FlashLED在智慧型手機的滲透率已達(dá)100%，看準(zhǔn)Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo)，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標(biāo)配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
關(guān)鍵字： Flash LED

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]