flash 文章進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)

采用FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

采用FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計存儲嵌入式 FLASH 采用

淺析TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀態(tài)
關(guān)鍵字：在線技術(shù) Flash 片內(nèi) TMS320F2812 淺析

未來的Flash記憶體

　　Flash記憶體加工尺寸正越來越小，容量越來越高，耗電量越來越低，但與CPU類似，到達(dá)某個尺寸后它也會迎來瓶頸，優(yōu)勢將變成劣勢?，F(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD，東芝在上個月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm，可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。　　加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn)，那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過500 GB，而TCL(三層存儲單元)F
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基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS320C6201 DSP Flash 存儲器接口

關(guān)于FLASH媒體報道的非官方辟謠

　　最近關(guān)于Flash的媒體報道真是越來越不靠譜了。這事兒本來就是內(nèi)行看門道，外行看熱鬧，之前一些媒體發(fā)的通過貶低Flash來肉麻吹捧HTML5的片面報道，我們大多數(shù)做過幾年Flash的開發(fā)者都一笑了之了，懶得計較。　　大家心里都有數(shù)，兩個平臺各有優(yōu)缺點(diǎn)，項目選型的時候，哪個合適就上哪個。就拿游戲來說，F(xiàn)lash還是占統(tǒng)治地
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基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計

摘要：以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu)，設(shè)計了一種圖像信號發(fā)生器，作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機(jī)的信號源，為波前處理機(jī)的調(diào)試和算法驗(yàn)證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù)，存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
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基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計

摘要：根據(jù)當(dāng)前基于Web遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控方案的不足，利用Flash的交互性強(qiáng)，本身導(dǎo)出的文件小，適合網(wǎng)絡(luò)傳輸、利用AS(Action Script)提高了與其他語言的交互性等特點(diǎn)，提出了基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計思路。提出了
關(guān)鍵字：監(jiān)控系統(tǒng) 設(shè)計工業(yè) 遠(yuǎn)程 Flash 基于

手機(jī)嵌入式SSD成NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)

當(dāng)全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個殺手級應(yīng)用的同時，手機(jī)內(nèi)建NAND Flash內(nèi)存的應(yīng)用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規(guī)格為eMMC，是手機(jī)內(nèi)建儲存方案的新標(biāo)
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DSP芯片的Flash存儲器的在線編程方式

DSP芯片的Flash存儲器的在線編程方式,在嵌入式系統(tǒng)中，為了實(shí)現(xiàn)程序的脫機(jī)自動運(yùn)行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實(shí)現(xiàn)一個嵌入式系統(tǒng)的帶電脫機(jī)運(yùn)行，在線編程就成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程的必經(jīng)之路。由于在線編程涉及到硬件和軟件方面的內(nèi)容
關(guān)鍵字：編程方式在線存儲器芯片 Flash DSP

C8051F的超大容量Flash存儲器擴(kuò)展方法介紹

摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
關(guān)鍵字：方法介紹擴(kuò)展存儲器大容量 Flash C8051F

在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲管理的實(shí)現(xiàn)

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關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲管理

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)系統(tǒng)

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關(guān)鍵字： DSP Flash 引導(dǎo)

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲系統(tǒng)的設(shè)計

摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲介質(zhì)，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)設(shè)計方法，同時對壞塊的檢測處理等關(guān)鍵問題提出了
關(guān)鍵字：存儲系統(tǒng) 設(shè)計視頻大容量 NAND FLASH 基于

基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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手機(jī)設(shè)計中T-Flash卡設(shè)備的探測與思考

T-Flash（microSD）卡憑借高性能，小體積，大容量，適中的價格迅速在數(shù)碼市場中普及開來，目前已成為手機(jī)中最流行的擴(kuò)展卡類型。手機(jī)設(shè)計中常用的TF卡座有Push和 Hinge兩種類型。Hinge型TF卡座需要掀開蓋后才能取放，
關(guān)鍵字：探測思考設(shè)備 T-Flash 設(shè)計手機(jī)

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]