flash 文章 進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)
基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計(jì)
- 摘要:以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu),設(shè)計(jì)了一種圖像信號發(fā)生器,作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機(jī)的信號源,為波前處理機(jī)的調(diào)試和算法驗(yàn)證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù),存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
- 關(guān)鍵字: FLASH FPGA ROM 圖像信號發(fā)生器
基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要:根據(jù)當(dāng)前基于Web遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控方案的不足,利用Flash的交互性強(qiáng),本身導(dǎo)出的文件小,適合網(wǎng)絡(luò)傳輸、利用AS(Action Script)提高了與其他語言的交互性等特點(diǎn),提出了基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路。提出了
- 關(guān)鍵字: 監(jiān)控系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 工業(yè) 遠(yuǎn)程 Flash 基于
一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn),以FPGA為邏輯時(shí)序控制器,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細(xì)介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過程,使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM FLASH 201205
基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
傳統(tǒng)的存儲設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢,但是在高溫、高速、高沖擊的測試環(huán)境中,往往存在設(shè)備存放空間有限、測試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測試數(shù)據(jù),對存儲設(shè)備的性能也提出 - 關(guān)鍵字: 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲 數(shù)據(jù) NAND Flash 基于
FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點(diǎn),存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
- 關(guān)鍵字: K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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