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基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計

  • 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計,1 引言

    FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
  • 關鍵字： 系統(tǒng)  設計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關鍵字： 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

  • 　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  Flash  

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關鍵字： 南科  DRAM   Flash  

臺系DRAM廠的轉型與挑戰(zhàn)

  • 　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。 　　
  • 關鍵字： 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

  • 　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。 　　近期大陸因為亞運因素，
  • 關鍵字： Apple  NAND  Flash  

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

  • 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
  • 關鍵字： 系統(tǒng)  開發(fā)  實現(xiàn)  SOPC  器件  Flash  存儲  采用  

DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設計

  • 摘要：詳細介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設計的參考。
    關鍵詞：在線編程
  • 關鍵字： 編程  軟硬件  設計  在線  存儲器  外部  Flash  DSP  

VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設計與實現(xiàn)

  • VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設計與實現(xiàn),0 引言

    在VxWorks的應用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結構。

    一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
  • 關鍵字： 設計  實現(xiàn)  TFFS  Flash  文件  系統(tǒng)  VxWorks  

U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

  • 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
  • 關鍵字： 實現(xiàn)  啟動  Flash  NAND  U-Boot  

使用用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA的配置

  • 電子設計自動化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺，以EDA軟件為開發(fā)環(huán)境，以硬件描...
  • 關鍵字： CPLD  FPGA  Flash  RAM  EDA  VHDL  

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用設計

  • 引言隨著FPGA技術的發(fā)展，出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng)，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技...
  • 關鍵字： FPGA  SOPC  NOR  Flash  嵌入式  

TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： TMS320C6201DSP  處理器  Flash  
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flash介紹

閃存（Flash ROM）： 是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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