flash 文章進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)

基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

本文采用USB接口的ICP方法，燒寫(xiě)速度快，無(wú)需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，硬件通過(guò)微處理器JB8的USB接口與計(jì)算機(jī)USB口連接即可。
關(guān)鍵字： Flash USB 908 JB8

2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低，價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對(duì)于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢(shì)的預(yù)測(cè)數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)即將出現(xiàn)。某些預(yù)測(cè)顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長(zhǎng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節(jié)。　　大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存　　低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(zhǎng)，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統(tǒng)

　　汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險(xiǎn)。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。　　由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)?；谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測(cè)算法已通過(guò)健壯性和容錯(cuò)性的驗(yàn)證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)描述。　　現(xiàn)代
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NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域借以擴(kuò)大市占率

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出，2008年起，除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
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對(duì)MC68HC908內(nèi)Flash在線編程的一種方法

本文以MC68HC908QY4為例，詳細(xì)分析如何利用監(jiān)控ROM程序?qū)崿F(xiàn)對(duì)單片機(jī)片內(nèi)Flash的在線編程和應(yīng)用。
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基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器

基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，必然帶來(lái)數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲(chǔ)，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無(wú)法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
關(guān)鍵字：通訊無(wú)線網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器

年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)

　　11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購(gòu)顆粒開(kāi)始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來(lái)得顯著。有鑒于9月以來(lái)
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash microSD 嵌入式

奧地利微電子為代工用戶擴(kuò)展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù)

　　奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴(kuò)展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項(xiàng)目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶的若干設(shè)計(jì)結(jié)合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分?jǐn)偩A和掩膜成本。　　RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù) 　　奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺(tái)積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式，延長(zhǎng)了存儲(chǔ)器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時(shí)在使用中可
關(guān)鍵字： FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無(wú)線通信

07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。　　　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自舉引導(dǎo)

著重描述了引導(dǎo)引腳以及相關(guān)寄存器的設(shè)置，分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復(fù)制到DSP的過(guò)程，并對(duì)引導(dǎo)程序給出基于匯編語(yǔ)言的代碼實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Flash 引導(dǎo) 片外 TMS320C6713 EDMA 基于

單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計(jì)算機(jī)

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]