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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量

  •   MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統(tǒng)旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài),達(dá)到單季6,300萬(wàn)臺(tái)以上的銷(xiāo)售紀(jì)錄后,1Q08在淡季因素的效應(yīng)影響下,出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺(tái)。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看,Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌,今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達(dá)73%,全球市場(chǎng)其它的一線(xiàn)品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。   單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看,最引人關(guān)注的是高階機(jī)種iPod Touch在2008年2月
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基于GPRS的遠(yuǎn)程心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)儀軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  •   當(dāng)今社會(huì),心臟疾病已嚴(yán)重影響了人們的生命安全,許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統(tǒng)的心電監(jiān)護(hù)設(shè)備限制了患者的自由,動(dòng)態(tài)心電記錄儀(Holter)雖能便攜地記錄患者日?;顒?dòng)時(shí)的心電數(shù)據(jù),但是沒(méi)有實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能,對(duì)于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。   無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)成為可能。利用GPRS無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)通信技術(shù),可將實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能與Holter結(jié)合起來(lái)?;颊呖梢耘浯鞅O(jiān)護(hù)儀自由活動(dòng),同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監(jiān)護(hù)。緊急情況發(fā)生時(shí),患者掌握著可靠的求生路徑;而醫(yī)生可根據(jù)全面的心電
  • 關(guān)鍵字: GPRS  遠(yuǎn)程  監(jiān)護(hù)儀  心電  實(shí)時(shí)  Holter  單片機(jī)  電源  NAND Flash  LCD  GSM/GPRS無(wú)線(xiàn)通信  

基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

  • 目前流行的ARM9 CPU中,沒(méi)有集成NAND FLASH的控制器,可以通過(guò)使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)外部NAND FLASH的控制.實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫(xiě)的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿(mǎn)足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對(duì)Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年 新帝全球裁員

  •   受到NAND Flash價(jià)格直落影響,原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk),日前無(wú)預(yù)警全球大裁員,這次裁員幅度約10分之1。目前以美國(guó)總部作為初步的縮減人力計(jì)劃區(qū)域,但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi),不排除有進(jìn)一步縮減人力的計(jì)劃。   事實(shí)上,新帝在2年前合并以色列儲(chǔ)存廠(chǎng)商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤(pán)之后,新帝的營(yíng)運(yùn)組織就一直在改組,但這次是首度大規(guī)模裁員,也使得內(nèi)部員工人心惶惶。   新帝的營(yíng)運(yùn)業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
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一種在片上系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)Nand Flash控制器的方法

  •   1 引 言   Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸栽跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。自1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)以來(lái), Nand Flash以其相對(duì)于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫(xiě)入和擦除速度,更多次的可擦除次數(shù),以及更低廉的每bit價(jià)格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲(chǔ)攜帶,可以降低成本,提高性能。   ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
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DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)

  • DSP與FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重要技術(shù),本文以基于三個(gè)C6201/C6701 DSP芯片開(kāi)發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例,介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
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透視 FPGA 的安全性

  •   今天的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計(jì)工具的范疇,逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中,尤其是消費(fèi)電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場(chǎng)研究公司指出,F(xiàn)PGA器件在汽車(chē)應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。   這個(gè)增長(zhǎng)在很大程度上是來(lái)自于FPGA本身的特點(diǎn)。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機(jī)之類(lèi)設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對(duì)較短,因此縮短其開(kāi)發(fā)周期變得非常重要。可編程邏輯便可為設(shè)計(jì)人員提供所需的靈活性
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HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

  •   03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后,推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過(guò)ISP (In-System-Programming) 接口直接對(duì)已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄,且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬(wàn)次,此項(xiàng)特性讓客戶(hù)能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新,因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間,并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶(hù)可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù),不需受限于燒錄次數(shù);在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級(jí),提供更高的附加
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ZigBee技術(shù) 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138

  •   摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用,完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì),并給出硬件連接圖和部分程序代碼。   關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)   1 NAND Flash和NOR Flash   閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn),被廣泛地應(yīng)用于手
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)  

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

  • 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用,完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì),并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
  • 關(guān)鍵字: K9F1208  Flash  3234A  NAND    

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線(xiàn)測(cè)試

  •   摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵,因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛,本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS,并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí),著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析,并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。   關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測(cè)試 YAFFS   引 言   隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
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Flash 單片機(jī)自編程技術(shù)的探討

  • ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲(chǔ)器模塊是一個(gè)可獨(dú)立操作的物理存儲(chǔ)器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線(xiàn)性地址空間中,一個(gè)
  • 關(guān)鍵字: Flash 單片機(jī) 自編程   

NAND和NOR flash詳解

  •            NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   
  • 關(guān)鍵字: NAND NOR flash   

TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現(xiàn)

  •   l 引言   在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后,還有一項(xiàng)重要的工作要做:怎樣實(shí)現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式:不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應(yīng)用中,多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低,因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨(dú)立運(yùn)行,而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲(chǔ)體,掉電后程序及數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)體。Flash
  • 關(guān)鍵字: TMS320C64x Flash  

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線(xiàn)不斷擴(kuò)大

  •   快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料,整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下,可說(shuō)是一團(tuán)混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì),雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲,都已有心理準(zhǔn)備,但仍是不敢大意。   TRI觀(guān)點(diǎn):   2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個(gè)事件,就是Samsun
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  NAND  Flash  MCU和嵌入式微處理器  
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flash介紹

閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器,由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]

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