基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機存儲器(static RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。

　　1、VDMS16M32芯片介紹

　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模塊芯片，由4個256K x 16bit的SRAM芯片堆疊而成。整個模塊采用立體封裝堆疊技術(shù)，它們之間的互相連接線非常短，寄生電容小。

　　1.1 芯片的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)和外部引腳

　　圖1是立體封裝的大容量芯片VDSR16M32中每一片SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能框圖，由MEMORY存儲矩形陣列，列譯碼器、行譯碼器、數(shù)據(jù)控制和控制邏輯等部分組成。

　　圖2是立體封裝的大容量存儲芯片VDSR16M32的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能框圖，圖3是VDSR16M32的外部引腳分布圖，其中A【0:17】是地址輸入信號引腳，#CS0、#CS1是芯片里面BLOCK1和BLOCK2的選擇引腳，#OE是芯片的輸出啟用引腳，#WE是芯片的寫入啟用引腳，#LB是低16位的選擇信號，#UB是高16的選擇信號，I/O【0:31】是芯片的數(shù)據(jù)線，其中數(shù)據(jù)線D【0:15】為BLOCK1的數(shù)據(jù)輸入輸出引腳，數(shù)據(jù)線D【16:31】為BLOCK2的數(shù)據(jù)輸入輸出引腳，VCC為電源引腳，VSS為接地引腳。

　　圖2 立體封裝的大容量芯片VDSR16M32的功能結(jié)構(gòu)框圖

　　圖3 VDSR16M32的外部引腳分配圖

　　VDSR16M32的引腳的功能如表1所示：

　　表1 VDSR16M32的引腳的功能

　　1.2 芯片的主要特性

　　1、訪問周期：最小12ns;

　　2、不需要時鐘信號;

　　3、兼容TTL電平;

　　4、數(shù)據(jù)至少可以保持20年;

　　5、由兩個256K*32bit的塊組成;

　　6、由5片4Mbit SRAM 堆疊而成;

　　7、2個獨立片選#CS0，#CS1; 8、

　　8、工作電壓：3.3V;

　　9、64腳TSOP封裝。

　　1.3 芯片的操作

　　芯片VDSR16M32的工作模式和SRAM差不多，都具有讀寫操作模式，關(guān)于芯片VDSR16M32的操作模式的真值表如下圖4所示：

　　圖4：

VDSR16M32的工作模式的真值表

　　VDSR16M32的讀操作非常簡單，當(dāng)片選#CS0或者#CS1和輸出啟用引腳#OE都為低電平時，芯片進行讀操作，即可從芯片讀出數(shù)據(jù)。VDSR16M32芯片的讀操作時序圖如圖5所示：

　　　VDSR16M32芯片的讀取操作步驟如下：

　　1) 通過地址總線把要讀取的bit的地址傳送到相應(yīng)的讀取地址引腳(這個時候/WE 引腳應(yīng)該沒有激活，所以SRAM 知道它不應(yīng)該執(zhí)行寫入操作) 。

　　2) 激活#CS0或者#CS1選擇該芯片的BLOCK0或者BLOCK1。

　　3) 激活#OE引腳讓VDSR16M32知道是讀取操作。

　　第三步之后，要讀取的數(shù)據(jù)就會傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總線。

　　VDSR16M32的寫操作同讀操作類似，當(dāng)片選#CS0或者#CS1和寫入啟用引腳#WE都為低電平時，芯片進行寫操作，即可寫入數(shù)據(jù)到芯片中區(qū)。VDSR16M32芯片的寫操作時序圖如圖6所示：

　　圖6 VDSR16M32芯片的寫操作時序圖

　　VDSR16M32芯片的寫入操作步驟如下：

　　1) 通過地址總線確定要寫入信息的位置(確定#OE 引腳沒有被激活)。

　　2) 通過數(shù)據(jù)總線將要寫入的數(shù)據(jù)傳輸?shù)絀/O引腳

　　3) 激活#CS0或者#CS1選擇該芯片的BLOCK0或者BLOCK1。

　　4) 激活#WE引腳,通知VDSR16M32芯片知道要開始寫入操作。

　　經(jīng)過上面的四個步驟之后，需要寫入的數(shù)據(jù)就已經(jīng)放在了需要寫入的地方。

　　2 VDSR16M32的硬件電路設(shè)計

　　2.1 VDSR16M32與S698-T的電路連接

　　S698-T是珠海歐比特控制工程股份有限公司面向嵌入式控制領(lǐng)域而研制的一款高性能、高可靠的 SoC 芯片，S698-T芯片的存儲器控制器提供了直接訪問PROM、I/O空間、SRAM、SDRAM的接口。其中，訪問ROM、I/O空間、SRAM時，支持8位、16位和32位三種數(shù)據(jù)總線寬度，其存取時間參數(shù)可配置。下面以S698-T為例介紹SRAM存儲器為不同位寬時與MCU的硬件連接方式。

　　VDSR16M32作為32位存儲器時與S698-T微處理器的電路連接圖如圖7所示，其中Data【31:0】為微處理器S698-T的32位數(shù)據(jù)線，Address【19:2】是S698-T中28位地址線中的第2位至20位，S698-T在32位總線訪問時，地址線從A2開始選址。OE*是S698-T的外部存儲器輸出使能信號低電平有效。WE*是S698-T的外部存儲器寫操作使能信號，低電平有效。RAMS0*、RAMS1*是S698-T的SRAM BANK0、BANK1的片選信號，低電平有效。當(dāng)S698-T進行32位總線進行讀寫數(shù)據(jù)操作時，必須同時選擇片選#CS0和#CS1。

　　圖7 VDSR16M32作為32位存儲器與S698-T的電路連接圖

　　VDSR16M32作為16位存儲器時與S698-T微處理器的電路連接圖如圖8所示，其中Data【31:16】為微處理器S698-T的高16位數(shù)據(jù)線，S698-T是高數(shù)據(jù)位有效。Address【18:1】是S698-T中28位地址線中的第1位至18位，S698-T在16位總線訪問時，地址線從A1開始選址。OE*是S698-T的外部存儲器輸出使能信號低電平有效。WE*是S698-T的外部存儲器寫操作使能信號，低電平有效。RAMS0*、RAMS1*是S698-T的SRAM BANK0、BANK1的片選信號，低電平有效。當(dāng)S698-T進行數(shù)據(jù)操作時，選擇片選#CS0或者#CS1來選擇操作BLOCK0或者BLOCK1，BLOCK。

　　VDSR16M32作為8位數(shù)據(jù)與S698-T連接時，犧牲了芯片的一半性能，所以不推薦這樣使用。VDSR16M32作為8位存儲器時與S698-T微處理器的電路連接圖如圖9所示，其中Data【31:24】為微處理器S698-T的高8位數(shù)據(jù)線，S698-T是高地址有效。Address【17:0】是S698-T中28位地址線中的低18位，OE*是S698-T的外部存儲器輸出使能信號低電平有效。WE*是S698-T的外部存儲器寫操作使能信號，低電平有效。RAMS【1:0】是S698-T的SRAM BANK0-BANK1的片選信號，低電平有效。

　　3.結(jié) 語

　　對于由靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)堆疊而成的立體封裝的大容量存儲芯片VDSR16M32，由于擁有32位數(shù)據(jù)線，兩個BLOCK，并且數(shù)據(jù)位可靈活配置，可滿足不同CPU對位寬的要求。同時基于SRAM芯片立體封裝存儲器縮短了內(nèi)部信號連接長度、減少了寄生效應(yīng)，增強了抗干擾能力，可廣泛用于車輛、衛(wèi)星、飛機和空間站等對存儲器條件要求高的地方。