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三星5nm EUV研發(fā)完成：功耗降低20%

  • 在芯片代工領(lǐng)域，臺(tái)積電和三星是實(shí)力最強(qiáng)勁的兩大巨頭。不過，最近幾年，臺(tái)積電的實(shí)力要更勝一籌，通過7nm工藝，臺(tái)積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網(wǎng)上帶來了一個(gè)新消息，5nm EUV成功開發(fā)完成。這對(duì)三星而言，算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說明的是，三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產(chǎn)，今年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。最近三星曝光
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EUV光刻取得成功，Lasertec功不可沒

  • 在經(jīng)歷了二十多年的研發(fā)之后，芯片制造商在一項(xiàng)能夠大幅度提升硅片上晶體管密度的技術(shù)上壓下了重注，那就是EUV光刻。他們能夠取得成功，日本東京郊區(qū)的一家名為Lasertec小公司功不可沒。
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EUV技術(shù) 為摩爾定律延命

  • 隨著晶片功能愈趨強(qiáng)大，在半導(dǎo)體制程愈趨復(fù)雜的情況下，摩爾定律的推進(jìn)已經(jīng)放緩，以臺(tái)積電、三星、英特爾等三大半導(dǎo)體廠目前采用的浸潤式(immersion)微影及多重曝影(multi-patterning)技術(shù)來說，若要維持摩爾定律的制程推進(jìn)速度，晶片成本會(huì)呈現(xiàn)等比級(jí)數(shù)般飆升。也因此，能夠明顯減少晶片光罩層數(shù)的極紫外光(EUV)微影技術(shù)，將可為摩爾定律延命。
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傳臺(tái)積電今年將購入18臺(tái)EUV光刻機(jī)，7nm EUV最快3月量產(chǎn)

  • 來自產(chǎn)業(yè)鏈的最新消息稱，臺(tái)積電將包攬ASML今年的30臺(tái)EUV光刻機(jī)中的18臺(tái)，加上之前采購的幾臺(tái)，臺(tái)積電有望在今年3月份啟動(dòng)7nm EUV的量產(chǎn)，推動(dòng)7nm在其2019年晶圓銷售中的占比從去年的9%提升到25%。
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芯片設(shè)計(jì)企業(yè)該如何選擇適合的工藝？

  • 如何向芯片設(shè)計(jì)企業(yè)推薦最合適的工藝，芯片設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)該怎么權(quán)衡?不久前，在珠海舉行的“2018中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)(ICCAD)”期間，芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。
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敞開擁抱中國，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML絲毫不受“大火”影響

  • 荷蘭光刻機(jī)霸主阿斯麥(ASML)公司公布了2018年第四季度及全年業(yè)績報(bào)告，而在當(dāng)天的聲明中，公司CEO彼得·維尼克(Peter Wennink)特別指出，中國對(duì)其產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁，繼續(xù)看好對(duì)中國的出口。
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英特爾巨資升級(jí)美國D1X晶圓廠，上馬7nm EUV工藝

  • 　　12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)能。英特爾這次的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃有對(duì)應(yīng)14nm的，但是并不是應(yīng)急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm EUV處理器會(huì)在這里生產(chǎn)?！　?018年下半年英特爾忽然出現(xiàn)了14nm產(chǎn)能不足的危機(jī)，這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個(gè)PC行業(yè)的增長，官方也承認(rèn)了14nm產(chǎn)能供應(yīng)短缺，并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴(kuò)建產(chǎn)能。12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)
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EUV需求巨大！ASML最新財(cái)報(bào)顯示今年將出貨30臺(tái)

  • 　　荷蘭當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月23日，ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績報(bào)告?！　?bào)告指出，去年第四季度凈銷售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%。　　具體來看，ASML指出，DUV光刻業(yè)務(wù)中，存儲(chǔ)客戶的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持著持續(xù)增長。同時(shí)ASML也提高了該產(chǎn)品的可靠性，據(jù)了解，上一代產(chǎn)品需要六個(gè)月才能達(dá)到高可靠性，而該產(chǎn)品僅用了兩個(gè)月?！　∪ツ耆辏珹SML凈銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元?！　≈档米⒁獾氖牵珹SML已與尼康簽署了諒解
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全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)

  • 　　用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展。　　　　高端邏輯半導(dǎo)體的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和對(duì)應(yīng)的EUV曝光技術(shù)的藍(lán)圖。　　也就是說，在EUV曝光技術(shù)的開發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會(huì)大約在2021年，3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，還處于模糊階段，據(jù)預(yù)測，其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
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Imec與ASML聯(lián)手，EUV成主流技術(shù)工具

  • 　　日前，有消息稱，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室，共同探索在后3nm邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級(jí)元件制造藍(lán)圖。此次雙方這項(xiàng)合作是一項(xiàng)為期五年計(jì)劃的一部份，分為兩個(gè)階段：　　首先是開發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，包括最新的EUV設(shè)備準(zhǔn)備就緒?！　∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤?shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術(shù)潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級(jí)元件，從而推動(dòng)3nm以后的半導(dǎo)體微縮?！　O紫外光(EUV)微影技術(shù)　　EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
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三星促使EUV制程技術(shù)走紅，遵循摩爾定律方向發(fā)展

  • 　　繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組，并宣布未來經(jīng)營策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執(zhí)行長Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對(duì)成熟的制程服務(wù)上?！　∫隕UV工藝是半導(dǎo)體7nm工藝的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)　　眾所周知，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域，7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。而7nm工藝是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過程，節(jié)省時(shí)間和成本?！　〔贿^引入EU
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5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破

  • 　　全球一號(hào)代工廠臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)。今年4月開始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。　　而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺(tái)積電將首次應(yīng)用EUV，不過僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn)，也借
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從7nm到3nm GAA，三星為何激進(jìn)地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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拚不過對(duì)手　英特爾放棄搶推EUV？

  • 　　引領(lǐng)技術(shù)開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商?！　≡请娮庸こ處煹氖袌鲅芯繖C(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問題?！　≡诖送瑫r(shí)，三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證

  • 　　業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品。　　隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對(duì)EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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