泛林集團在提高EUV光刻分辨率、生產(chǎn)率和良率取得技術突破

泛林集團與阿斯麥 (ASML) 和比利時微電子研究中心 (imec) 共同研發(fā)的全新干膜光刻膠技術將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。

2月27日，泛林集團發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術。泛林集團研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領導地位及其與阿斯麥 (ASML) 和比利時微電子研究中心 (imec) 戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。

由于領先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統(tǒng)應用于大規(guī)模量產(chǎn)，進一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理的成本抵達未來的工藝節(jié)點。泛林集團全新的干膜光刻膠應用和顯影技術可以實現(xiàn)更低的劑量和更高的分辨率，從而增加生產(chǎn)率并擴大曝光工藝窗口。此外，通過將原材料的用量降低至原來的五分之一到十分之一，泛林集團的干膜光刻膠技術不僅為客戶大幅節(jié)省了運營成本，同時還為環(huán)境、社會和公司治理提供了一種更加可持續(xù)的解決方案。

“經(jīng)過阿斯麥及其合作伙伴20余年的持續(xù)研發(fā)，EUV目前已應用于芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，”阿斯麥總裁兼首席執(zhí)行官Peter Wennink表示，“通過和泛林集團、比利時微電子研究中心的密切合作，我們致力于讓這項技術日趨成熟并得以擴展。這項在干膜光刻膠技術上的戰(zhàn)略合作支持芯片制造商用更低的成本實現(xiàn)更高性能芯片的創(chuàng)新，釋放技術的潛能以造福社會?！?/p>

“這一技術突破是協(xié)作創(chuàng)新的完美典范，也充分展現(xiàn)了泛林集團與阿斯麥、比利時微電子研究中心極具價值的合作如何持續(xù)為客戶及行業(yè)創(chuàng)造新的效益，”泛林集團總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示，“泛林集團一直在沉積和刻蝕工藝上處于領先地位，這一新機會使我們得以將圖形化解決方案直接擴展至光敏光刻材料，這令人非常激動。這種新能力展現(xiàn)了泛林集團全面的圖形化策略，率先通過多重圖形化解決方案推動行業(yè)實現(xiàn)器件的小型化，現(xiàn)在則可以通過提升EUV光刻的生產(chǎn)率和性能來推動這一目標?！?/p>

泛林集團正與多家芯片制造商通力合作，以解決這項干膜光刻膠技術應用于EUV光刻上的關鍵挑戰(zhàn)。這一全新的干膜光刻膠技術使高級邏輯和存儲設備得以繼續(xù)小型化。

“優(yōu)化圖形工藝需要各種各樣的技術，比利時微電子研究中心和幾家重要的業(yè)內(nèi)伙伴多年來一直保持緊密合作，在圖形化工藝的開發(fā)上處于領先地位，”比利時微電子研究中心總裁兼首席執(zhí)行官Luc Van den hove談到，“干膜光刻膠將會成為推動EUV光刻進一步應用以及技術路線圖加速發(fā)展的關鍵技術。我們和泛林集團、阿斯麥共同合作，旨在優(yōu)化干膜光刻膠技術以實現(xiàn)其最佳性能?！?nbsp;