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EUV光刻機(jī)開(kāi)始“落幕”了

  • 說(shuō)到光刻機(jī)大家難免會(huì)想到三個(gè)廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機(jī)就是制造芯片的核心裝備?，F(xiàn)如今光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺(tái)積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機(jī)，也正因?yàn)榇藙?dòng)作，才奠定了ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位。后續(xù)ASML又推出了更加高端的EUV光刻機(jī)，而且還是獨(dú)家壟斷生產(chǎn)。這就進(jìn)一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著科技的不斷發(fā)展，市場(chǎng)就要越來(lái)越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長(zhǎng)時(shí)間壟斷，導(dǎo)致其他同行沒(méi)有辦法發(fā)展。在他自身無(wú)法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星擬新設(shè)至少10臺(tái)EUV光刻機(jī)：展露要當(dāng)世界第一的野心

  • 最新消息顯示，盡管全球經(jīng)濟(jì)將放緩，但三星仍計(jì)劃擴(kuò)大DRAM與晶圓代工的晶圓產(chǎn)能，明年在其P3晶圓廠新設(shè)至少10臺(tái)極紫外光刻設(shè)備（EUV），用于生產(chǎn)最新的12nm級(jí)內(nèi)存芯片，而三星目前僅有40臺(tái)EUV光刻機(jī)。
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三星首次采用韓國(guó)本土EUV光刻膠 打破日企壟斷

  • 據(jù)報(bào)道，三星首次引入韓國(guó)本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過(guò)三年的努力，韓國(guó)實(shí)現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開(kāi)始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過(guò)了三星的可靠性測(cè)試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過(guò)，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機(jī)單臺(tái)硬件造價(jià)2500億：可買(mǎi)三臺(tái)頂級(jí)航母

  • 都知道光刻機(jī)單臺(tái)成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺(tái)數(shù)億美元的光刻機(jī)讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價(jià)格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機(jī)high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的單臺(tái)造價(jià)將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個(gè)價(jià)格什么概念，一搜頂級(jí)航母的價(jià)格差不多在100億美元左右，而這臺(tái)硬件設(shè)備可以買(mǎi)三艘頂級(jí)航母，而ASML目前在售的雙工件臺(tái)EUV光刻機(jī)不過(guò)數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價(jià)
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國(guó)廠商公布新專(zhuān)利

  • 近日，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！　∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)

  • 近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財(cái)報(bào)，阿斯麥方面，最新一季度銷(xiāo)售額和利潤(rùn)均超出市場(chǎng)預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)；泛林方面，當(dāng)季公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)10月19日，光刻機(jī)大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求

  • 微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺(tái)極紫外光（EUV）曝光機(jī)出貨，累計(jì)超過(guò)7,000萬(wàn)片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上，以因應(yīng)客戶端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對(duì)先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求。雖然2023年半導(dǎo)體市況能見(jiàn)度低且不確定性高，但包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì)帶動(dòng)光罩層數(shù)增加，法人樂(lè)觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士（等EUV概念股明年?duì)I運(yùn)將
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荷蘭光刻機(jī)巨頭大舉增加在華員工 背后有什么深意？

  • 在美國(guó)拼命打壓中國(guó)之際，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML卻相反，根據(jù)該公司透露的消息，ASML今年將在中國(guó)招聘200多名員工，以跟上中國(guó)的增長(zhǎng)步伐，這意味著ASML 在華員工人數(shù)已超過(guò) 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢(qián)，雖然臺(tái)積電、三星等買(mǎi)去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機(jī)，但ASML公司可以在中國(guó)銷(xiāo)售DUV等光刻機(jī)。而且，2021年ASML的第一大客戶就是中國(guó)大陸芯片企業(yè)，中國(guó)大陸芯片企業(yè)為ASML貢獻(xiàn)了超過(guò)290億美元，而中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)
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泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)

  • 泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動(dòng)設(shè)備所有這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒(méi)用 國(guó)內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機(jī)

  • 毫無(wú)疑問(wèn)，如今國(guó)內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機(jī)，不過(guò)EUV光刻機(jī)是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。    對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因?yàn)椴恍枰狤UV機(jī)器，從而找到了技術(shù)追趕的機(jī)會(huì)。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開(kāi)辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問(wèn)世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開(kāi)發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機(jī)最新進(jìn)展：目標(biāo) 2024-2025 年進(jìn)廠

  • 5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì)比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級(jí)工藝，下半年三星和臺(tái)積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對(duì)于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類(lèi)似系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對(duì)于 7 nm / 6 nm 節(jié)點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨(dú)顯

  • 　　Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計(jì)，今年的13代酷睿代號(hào)Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì)大改，升級(jí)Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝?！　?4代酷睿的架構(gòu)也會(huì)大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計(jì)，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低。　　14代酷睿Meteor Lake也會(huì)是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
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應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

  • 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(zhǎng)的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(zhǎng)可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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