- 據Korea Times報導，全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)計劃于2010年將全球DRAM市場市占率提升至45%。
三星高層透露，三星看好存儲器芯片市場的未來展望，計劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同時，這項策略代表三星將從2009年預期的36%市占率，提升9個百分點。
三星發(fā)言人Kin Choon-gon不愿證實這項消息，表示此訊息相當敏感，僅透露三星預期2010年在DRAM市場市占率將些微增加數個百分點。
此外，三星高層表示
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三星電子 DRAM 存儲器
- DRAM市場繼續(xù)保持良好勢頭.據大和國泰證券(Daiwa Securities SMBC-Cathay)統計,臺灣三大DRAM廠商(南亞科技、力晶半導體、茂德科技)的銷售額在8月和9月連續(xù)兩月環(huán)比增長超過20%.8月業(yè)績同比減少41%,而9月同比只減少9%,得到大幅改善.10月有可能轉為正增長.
增收因素為筆記本電腦供貨形勢良好帶動DRAM價格上漲.除高功能DDR3型以外,DDR2型的價格也明顯上漲.8月至9月,DDR2型1GB DRAM(667MHz)的平均現貨價格上漲33%,平均合同價格也上
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南亞科技 DRAM
- 據國外媒體昨日報道，市場研究公司Gartner周一發(fā)表報告稱，預計今年全球芯片銷售額將同比下滑11%，好于此前預期的下滑17%。
Gartner預測，今年全球芯片業(yè)銷售額將比去年的2550億美元下滑11.4%，至2260億美元;2010年銷售額預計將比今年回彈13%，至2550億美元，等同于2008年的水平。
Gartner稱，PC是推動芯片銷售的最大因素。在最近公布的另一份報告中，Gartner稱其預測個人PC需求將繼續(xù)增強，推動微處理器和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片銷售額實現增長
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芯片 微處理器 DRAM
- 臺“經濟部”長施顏祥自APEC返回臺灣，17日對媒體表達“經濟部”對推動DRAM產業(yè)再造的最新看法。對于“立法院”經濟暨能源委員會上周做出要求政府停止推動DRAM產業(yè)再造主決議，施顏祥表示將持續(xù)向立委說明DRAM產業(yè)尚有許多根本問題未解決，因此仍有必要進行改造。
施顏祥表示臺灣DRAM業(yè)者每年要給國外的技術授權金高達新臺幣200億~300億元，產業(yè)再造方案必須解決存在于DRAM產業(yè)中很多不利因素。
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半導體 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結構再度領先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產業(yè)成本進一步下滑。
三星目前56納米制程DRAM產能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產DDR3芯片，成本結構再度領先同業(yè)，市調機構預估，
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三星 40納米 DRAM
- 電子產業(yè)正在逐漸復蘇，但市場上仍存在一些不確定因素;有人認為2010年將欣欣向榮，也有人認為會出現更嚴重衰退…究竟2010年會是個什么樣?以下是EETimes針對不同的市場領域，收集不同分析師看法所整理出的一些預測信息。
半導體
市場研究機構Databeans分析師SusieInouye表示：“一如預期，美國半導體市場是首個恢復年成長的地區(qū)，第三季營收較去年同期成長了8%;同時間全球半導體市場業(yè)績表現還比08年同期衰退10%。”該機構預期全球半導體市場
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半導體 DRAM 晶圓代工
- 市場研究機構DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預期下，相繼投入產能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數DRAM廠商也都難逃嚴重虧損的命運。
其中，德國DRAM制造商奇夢達更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產，自此退出DRAM市場。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產業(yè)再起的重要關鍵。
DIGITIMES Research指出，事
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奇夢達 DRAM DDR3
- 盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司TIMC在立院緊急喊卡，但最近與TIMC洽談合作的日商爾必達，仍是與臺灣的茂德、華邦電進行業(yè)務合作，如果加上力晶和瑞晶，也形成臺日5家DRAM廠，聯手抗韓的局面，爾必達系統廠商，未來的市占率和排名第二的韓國海力士，也只有百分之零點三的差距。至于爾必達與茂德、華邦電的合作，是否由宣明智穿針引線，他則是強調對方相當重視臺灣業(yè)界。
全球DRAM大廠日商爾必達，連日來動作頻頻，接連與茂德和華邦電進行合作計畫，加上力晶本來就是爾必達的合作廠商，又握有瑞晶六成四的股份，以爾必達為首的臺
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TIMC 存儲器 DRAM
- 臺“經濟部”力推「DRAM產業(yè)再造方案計畫」，在宣布臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)已獲審查通過后，“立法院”經濟委員會11日提出重要決議，要求“經濟部”停止推動DRAM產業(yè)再造計畫，等同禁止“經濟部”協助TIMC獲得國發(fā)基金投資。
值得注意的是，目前TIMC浮上臺面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等，潛在投資者更囊括半導體產業(yè)和創(chuàng)投資金，但前提必須是TIMC要明確獲得國發(fā)基金資金挹注，原本投資TIMC
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TIMC DRAM
- 據臺灣媒體報道，11月上旬動態(tài)隨機存取內存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預估受惠較大。
集邦科技昨最新報價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元，大漲15.98%。
另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
- 2009年DRAM產業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為，隨著PC OEM廠第4季大量轉進DDR3平臺，未來DDR3現貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現貨市場DDR3報價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關。
DRAM價格11月上旬漲幅超乎預期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
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DRAM DDR2 DDR3
- 茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達將提供先進的制程技術與產品技術給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務。
茂德表示，代工服務以爾必達最先進的1G DDR3產品為主，預計2010年上半完成試產，2010年下半大量生產。此外，爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片，同時，采用65奈米制程技術。
茂德董事長暨總經理陳民良表示，爾必達在全球DRAM產業(yè)中以尖端制程技術的創(chuàng)新研發(fā)
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Elpida DRAM 晶圓 DDR3
- 根據調查，今年第三季，DDR3在計算機系統廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。
第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
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三星 DRAM DDR3 DDR2
- 2008年DRAM產業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè)，宣布要進行產業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務，目的在于協助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
- 全球半導體產業(yè)受金融危機的沖擊已經一年過去。此次危機是歷史上最嚴重的一次，所以盡管各國政府都奮力相救，但是由于受損太嚴重，產業(yè)的完全康復仍需要過程與時間。
至此，產業(yè)鏈中各類公司今年前三個季度的財報都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導體的產能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時已經看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結束時，部分公司已經扭虧為盈，工業(yè)已經明顯看到好轉的局面，但是與去年
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半導體 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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