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2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺

  • 　　行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或將在明年下半年出現(xiàn)供應不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進行推遲了的電腦更新工作。 　　DRAMeXchange周四預計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本將增長22%至3，500萬臺。 　　該公司稱：“2010年下半年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)或將面臨嚴重短缺，因個人電腦料將熱賣。DRAM價格跌勢可能會在明年第二季放緩。也就是 　　說，DRAM企業(yè)可以獲得保持全年獲利的絕佳機會。&
  • 關鍵字： 三星  DRAM  存儲芯片  

TIMC驚傳B計畫　力晶爭取買回瑞晶股權

  • 　　盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本，可能藉由與爾必達(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產業(yè)復活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達手上瑞晶股權，不過，爾必達會不會同意釋股仍是大問題。 　　存儲器業(yè)者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認為并沒有這個必要，因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%，其實都不能改變主導權旁落爾必達的事實，
  • 關鍵字： TIMC  DRAM  存儲器  

消息稱力晶董事會批準從爾必達手中購瑞晶股份

  • 　　12月23日消息，據(jù)國外媒體報道，臺灣力晶半導體股份有限公司管理人士周三表示，公司董事會批準了從日本合作伙伴爾必達手中收購合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計劃。 　　這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露，該計劃的細節(jié)，如力晶將收購的股份數(shù)以及收購價格等，還沒有確定。 　　爾必達曾于10月份表示，正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當月，為了與全球最大的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)韓國三星電子展開競爭，爾必達曾將其在瑞晶電子的股權比例由52%增加至64%。 　　DRAM
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價大漲3%　

  • 　　沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 　　存儲器模塊廠一致看好2010
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  存儲器  NAND   

2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%

  • 　　據(jù)DRAMeXchange的預測，2010年DRAM制造商資本支出總額將達到78.5億美元，較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距。 　　2011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預算將達到100億至120億美元，成長速度較2010年相對溫和。
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  

2009芯片市場收入下滑一成 Intel份額上漲

  • 　　受經(jīng)濟回暖影響，市場調研公司Gartner近日再次提高了對2009年全球芯片市場預期至2260億美元，不過和去年相比，這一數(shù)字仍舊下降了11.4%。Gartner十月份曾認為跌幅會達到17%。 　　Gartner半導體研究主管Stephan Ohr表示，半導體領域中最早顯示出回暖跡象的是PC市場，手機、汽車行業(yè)緊跟其后。不過企業(yè)在投資支出上依舊很保守，恢復很慢。 　　Gartner還預計，芯片巨頭Intel的市場份額將稍稍提升至14.2%;受到內存芯片價格的影響，三星和海力士本年度的收入將會增加2
  • 關鍵字： Intel  芯片  DRAM  

爾必達預期明年DRAM需求大增

  • 　　日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現(xiàn)短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。 　　爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。 　　他表示：“明年(DRAM芯片產業(yè)狀況將大幅好轉。” 　　爾必達預期，一些驅動新需求的動力，例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng)，有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生，進而提升存儲芯片的銷售力道。 　　坂本幸雄預期，明年全球用于電腦
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  存儲器  

瑞晶將成臺第6家掛牌DRAM廠 爾必達是否釋股受注目

  • 　　臺灣DRAM產業(yè)暌違4年，2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵，爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜，為枯木逢春的存儲器產業(yè)再添色彩!值得注意的是，目前爾必達對瑞晶持股達70%，申請掛牌前勢必要先釋股，持股降至50%以下，已傳出計畫引進策略聯(lián)盟伙伴的消息，產業(yè)上、下游供應鏈都會是潛在的合作對象;存儲器業(yè)者分析，雖然日方希望爾必達能掌握瑞晶多數(shù)股權，但若瑞晶未來可以獨立募資，這是對母、子公司都好的作法。 　　臺灣DRAM產業(yè)共有6家DRAM廠，其中有5家已掛牌上市柜，1
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  存儲器  

海力士2010年半導體生產開支將增加一倍

  • 　　據(jù)《韓國時報》報道，內存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 　　這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內存生產，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產。 　　這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內存的需求超過了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  內存芯片  

臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵

  • 　　兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 　　隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  NAND  

DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測業(yè)價格調升有望

  • 　　DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關業(yè)者預估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復到合理利潤，預期2010年DRAM產業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。 　　聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季，預期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景，預估2個季度景氣應為持平，不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產品別而言，Nor Flash和
  • 關鍵字： Spansion  DRAM  存儲器  

爾必達內存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利

  • 　　12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內存需求大于供給的利好影響，日本最大的內存生產企業(yè)爾必達內存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 　　爾必達內存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內存需求大于供給，我們也將在本財年結束時首次實現(xiàn)年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  內存  

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
  • 關鍵字： DRAM  DDR2  DDR3   

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
  • 關鍵字： DRAM  存儲  DDR3  DDR2  

張忠謀：臺灣企業(yè)五年內將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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