- 兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。
隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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Samsung DRAM NAND
- DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關業(yè)者預估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復到合理利潤，預期2010年DRAM產業(yè)將呈現上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。
聯測科技總經理徐英琳分析2010年第1季，預期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景，預估2個季度景氣應為持平，不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產品別而言，Nor Flash和
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Spansion DRAM 存儲器
- 12月11日訊，據國外媒體報道，受到內存需求大于供給的利好影響，日本最大的內存生產企業(yè)爾必達內存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時實現開業(yè)三年來首次出現年度贏利。
爾必達內存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內存需求大于供給，我們也將在本財年結束時首次實現年度盈利。”
日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
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爾必達 DRAM 內存
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM DDR2 DDR3
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM 存儲 DDR3 DDR2
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
近期DRAM現貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
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南亞科 NAND DRAM
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 據臺灣經濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。
茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。
業(yè)內揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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爾必達 DRAM
- 在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關之后，國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經濟部”長施顏祥對此表示，“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經濟部”都聽到了。目前經濟部對DRAM產業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調整 DRAM產業(yè)結構、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。
施顏祥表示，臺灣每年支付DRAM技術母廠新臺幣200億
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TIMC DRAM
- 日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯盟伙伴茂德董事長陳民良聯合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。
爾必達經過2008年DRAM產業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復后，
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Elpida DRAM DDR3
- 臺灣半導體生產商期望通過轉變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導致它們全盤退出核心業(yè)務。
由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。
與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產技術持續(xù)發(fā)展壯大。
為應對上述局面，臺資公司
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力晶 DRAM 存儲器
- 據報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。
根據iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產值為190億美元，而臺積電獨自占據了其中的100億美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經決定擴大其代工產能，目標直指臺積電。
三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務。三星一直強調
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。
三星是這一波DRAM產業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產業(yè)，亦讓美、日系
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力晶 DRAM 存儲器
- 根據政府官員表示，日前“立法院”經濟委員會通過決議，要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產業(yè)再造計畫」一事，經過“經濟部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。
官員透露，在和爾必達(Elpida)談判的過程中，爾必達始終未承諾提出符合行政院所要求的相關承諾，恐怕讓“經濟部”失去為臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭取國發(fā)基金挹注的重要立足點
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TIMC DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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