韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數(shù)轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。
報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數(shù)轉為使用12寸晶圓。
彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指
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三星 DRAM 晶圓 NAND
9月2日消息，據(jù)臺灣媒體報道，茂德昨公布今年上半年財報，稅后凈損109.78億元，僅次于力晶的稅后凈損180.61億元，四家DRAM廠上半年共虧555億元，平均每天虧損3.04億元。
茂德上半年營收僅35.5億元，比去年同期大幅衰退近八成，營業(yè)毛損124.2億元，毛利率負314%，較去年同期負56.4%大幅增加，營業(yè)虧損139.9億元，稅后凈損109.8億元，每股凈損1.51元。
茂德第二季營收21.37億元，營業(yè)毛損54.6億元，毛利率為負255%，營業(yè)虧損61.61億元，稅后凈損23.
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茂德 DRAM
據(jù)國外消息報道，法庭文件顯示，德州儀器計劃斥資1.725億美元收購奇夢達旗下申請破產的美國子公司。
眾所周知，德州儀器是全球領先的半導體供應商,設計并生產模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應用處理半導體解決方案的專家，而奇夢達是全球第四大DRAM芯片制造商，其產品主要應用于PC;受產品價格劇跌和全球融資緊縮拖累，奇夢達于今年1月份申請破產。今年2月份，QimondaRichmond與奇夢達旗下另一子公司一同申請了破產保護。Qimond
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德州儀器 DSP MCU DRAM
近期爾必達(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關的訊息，似乎也意味TMC正式營運的日子已越來越近。市調機構拓墣產業(yè)研究所(TRI)表示，TMC成立后，全球DRAM產業(yè)將進入TMC/爾必達、臺塑集團/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。
爾必達社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出，TMC對爾必達的出資比重預估將為9.5%;爾必達預計于2009年度 (2009年4月～2010年3月)內以第三者配額增資的方式自TMC取得200
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爾必達 DRAM
據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規(guī)劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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旺宏 DRAM 60納米 芯片
據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規(guī)劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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力晶 DRAM 內存芯片
報告指出，分析2009年DRAM產品應用，NB的應用需求有29%，加上桌上型的個人計算機，兩者合計高達53%，在未來PC成長率不易大幅度成長下，近期雖DRAM價格明顯反彈，仍不表示產業(yè)就此正式回春。
2008年DRAM價格由金融風暴造成「庫存換現(xiàn)金、不計成本」現(xiàn)象，2008年第四季最低1Gb現(xiàn)貨價0.49美元，合約價0.81美元，而近期DDR2 1Gb現(xiàn)貨價已達1.52美元，合約價1.34美元，合約價已經上漲了1.6倍之多。
分析2009年DRAM產品應用，NB的應用需求有29%，加上桌上
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PC DRAM
為解決臺灣DRAM產業(yè)所面臨的困境，政府提出產業(yè)再造方案，希望能夠藉此進行產業(yè)結構調整，擺脫以往脆弱的營運模式，提升產業(yè)未來的國際競爭力。惟近來半導體需求逐漸回溫，DRAM市場價格也漸有起色，遂有政府應見好就收、趕緊退場的意見浮出，究竟廠商是否可藉此價格回升的機會渡過難關?政府是否應該急流勇退?值得進一步探討。
基本上DRAM市場價格主要還是由供需的狀況來決定。根據(jù)調查，目前DRAM整體總產能仍然過剩，市場需求的提升，能否導致價格回穩(wěn)，須視主要DRAM大廠產能開出的情況而定。若大廠維持目前產能利
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Qimonda DRAM
德國DRAM廠奇夢達(Qimonda)進入破產程序后，由于找不到買主接手存儲器事業(yè)，旗下資產陸續(xù)被處分出售，繼日前繪圖卡存儲器(GDDR)技術售予爾必達(Elpida)和華邦之后，奇夢達在美國Richmond的子公司也可望售予德州儀器(TI) 來生產類比IC產品，奇夢達終究躲不過分拆出售的命運，也意味奇夢達確定走入歷史。
奇夢達在2009年初申請破產保護，然由于旗下自己研發(fā)的46奈米制程Buried Wordline技術已開發(fā)成功，原本要再大陸找尋新的投資者進駐，然之后卻傳出破局，在找不到新買主
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奇夢達 DRAM 存儲器 GDDR
消息指出，韓國DRAM大廠三星(Samsung)、海力士(Hynix)計劃本月底大幅提高DDR3產能，此動作恐削緩目前DDR3供不應求的力道，短期價格上漲恐出現(xiàn)阻力，使得上周五最新現(xiàn)貨報價已落破2美元。
此外，日本大廠爾必達(Elpida)也計劃將位于廣島的主力生產據(jù)點全數(shù)轉生產DDR3，預計9月起DDR3的月產量將自現(xiàn)行的2到3萬片倍增至7.5萬片。
臺灣力晶上周五亦開始全面停止無薪假，且擴大投片搶攻DDR3市場。
業(yè)界表示，DRAM廠爭相擴大DDR3產出，供給與需求面逐漸取得平衡
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Samsung DRAM DDR3
據(jù) iSuppli 公司，日本爾必達是第二季度全球 DRAM 市場明星，大幅提價導致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。
在五大 DRAM 供應商中，第二季度爾必達業(yè)績最好，營業(yè)收入從第一季度時的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價格(ASP)比第一季度提高了 32%，推動其業(yè)績明顯提升。
爾必達通過擴大面向移動與消費應用的專用 DRAM 銷售，大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價格高于通用產品，幫助爾必達取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
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爾必達 DRAM DDR3
據(jù)市場研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內存芯片的銷售收入達45億美元，比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內存芯片的銷售收入下降了33.5%。
日本內存芯片供應商Elpida Memory第二季度的DRAM內存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長了50%，是所有DRAM內存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內存芯片的平均銷售價格比第一
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三星 DRAM 內存芯片 DDR3
臺灣資訊工業(yè)策進會日前預計，今年臺灣半導體產值可達1.14萬億元，比去年衰退13%。同時，受惠于新興市場成長，部分領域的產值可能超過全球平均水準。
臺灣媒體引述資策會的分析稱，今年第一季度是臺灣半導體產業(yè)的景氣底限，在上下游業(yè)者同步快速調整庫存的情況下，第二季度的產業(yè)供應鏈恢復正常供需水準。受惠于下游系統(tǒng)產業(yè)回暖，目前半導體產業(yè)各項指標都出現(xiàn)回升跡象。
其中，臺灣晶圓代工產業(yè)產值約占全球產值的70%，今年第一、第二季度產值分別約為525億元、1000億元，第三季度將比第二季度增長15%以上
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半導體 DRAM
全球DRAM產業(yè)景氣回春，價格逐漸觸底反彈，促使原本減產的臺系DRAM廠紛復工生產，其中，華亞科和南亞科率先增產，力晶近期亦宣布全面取消無薪假，大家都想多生產一點，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬片，但其中有50%是晶圓代工生意，標準型存儲器的量還不多。
力晶2008年10月在DRAM價格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進，在供給逐漸減少的情況下，
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力晶 DRAM DDR3
DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、顯示和背光對于上網本來說是較耗電的部分?，F(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網本更節(jié)能。
由于本身相關芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網本相對有較高的電池使用時間?，F(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應該是相同的設計思路，未來的電源設計可能會有一些改變，但還需要市場的認同。
我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
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Intel DRAM DDR3 LED背光
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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