- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產品的業(yè)績數(shù)據也十分健康，這說明產業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。
從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。
爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關。
“IC產業(yè)復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經開始。”IC Insights分析師
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DRAM NAND MPU 模擬電路
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。
三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
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三星 DRAM LCD
- 韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉虧為盈的廠商。
據業(yè)界預測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。
分析指出，海力士營運改
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Hynix DRAM 50納米
- 景氣轉好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉進50奈米制程進度已經無虞。
日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應在8月結案，順延到9月上旬，金額也由最初預定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元，最后以400億元結案。顯見隨景氣轉好，銀行團原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預計將在9月底登場。據銀行端消息透露，最晚第四季就
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南科 DRAM 68納米
- DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。
2009 年存儲器產業(yè)觸
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三星 DRAM NAND 存儲器
- 臺灣新任“經濟部長”施顏祥11日強調，成立TMC的時空環(huán)境在變，當時規(guī)劃時全球DRAM產業(yè)正處嚴峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。
施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調整，他會在下周聽取工業(yè)局簡報，了解TMC政策推動進度與細節(jié)，再決定未來怎么做，原則上還是會以技術生根角度處理TMC的問題。
施顏祥臨危受命接下“經濟部”重擔，未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經濟合作架
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TMC DRAM
- 盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。
DRAM價格雖已開始反彈，然復原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產業(yè)逐步復蘇，美光和爾必達2
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三星 DRAM 40納米 晶圓代工
- Window 7將在下個月上市，觸控面板成為主打商機。不過，今天高盛出具的產業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認為，今年TFT LCD的價格在9月已經到頂，因為10月回補庫存結束。而在DRAM方面，據了解，國內最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產品的出貨占五成。
臺灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴大。而優(yōu)群目前連接器方面已經準備因應未來DDR3的
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高盛 DRAM 觸控面板
- 全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導體產品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉向更高制程無疑是提升半導體產品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。
市場研究機構Gartner Dataquest產業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術及服務的創(chuàng)新方面扮演領航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時，專業(yè)
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臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數(shù)轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。
報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數(shù)轉為使用12寸晶圓。
彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指
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三星 DRAM 晶圓 NAND
- 9月2日消息，據臺灣媒體報道，茂德昨公布今年上半年財報，稅后凈損109.78億元，僅次于力晶的稅后凈損180.61億元，四家DRAM廠上半年共虧555億元，平均每天虧損3.04億元。
茂德上半年營收僅35.5億元，比去年同期大幅衰退近八成，營業(yè)毛損124.2億元，毛利率負314%，較去年同期負56.4%大幅增加，營業(yè)虧損139.9億元，稅后凈損109.8億元，每股凈損1.51元。
茂德第二季營收21.37億元，營業(yè)毛損54.6億元，毛利率為負255%，營業(yè)虧損61.61億元，稅后凈損23.
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茂德 DRAM
- 據國外消息報道，法庭文件顯示，德州儀器計劃斥資1.725億美元收購奇夢達旗下申請破產的美國子公司。
眾所周知，德州儀器是全球領先的半導體供應商,設計并生產模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應用處理半導體解決方案的專家，而奇夢達是全球第四大DRAM芯片制造商，其產品主要應用于PC;受產品價格劇跌和全球融資緊縮拖累，奇夢達于今年1月份申請破產。今年2月份，QimondaRichmond與奇夢達旗下另一子公司一同申請了破產保護。Qimond
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德州儀器 DSP MCU DRAM
- 近期爾必達(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關的訊息，似乎也意味TMC正式營運的日子已越來越近。市調機構拓墣產業(yè)研究所(TRI)表示，TMC成立后，全球DRAM產業(yè)將進入TMC/爾必達、臺塑集團/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。
爾必達社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出，TMC對爾必達的出資比重預估將為9.5%;爾必達預計于2009年度 (2009年4月～2010年3月)內以第三者配額增資的方式自TMC取得200
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爾必達 DRAM
- 據臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規(guī)劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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旺宏 DRAM 60納米 芯片
- 據臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規(guī)劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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力晶 DRAM 內存芯片
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。
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