分析師看好全球生產(chǎn)線的擴(kuò)張版圖

　　按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報(bào)道，SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)于2010年時(shí)全球Fab投資再增加64%，達(dá)240億美元。

　　ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達(dá)88%，接近去年金融危機(jī)之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達(dá)90%，一直維持到去年的前三個(gè)季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補(bǔ)充庫(kù)存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。

　　按ICInsight觀點(diǎn)芯片產(chǎn)能利用率又回復(fù)到金融危機(jī)之前的水平

　　McClean表示，雖然產(chǎn)能利用率還沒(méi)有低到2001年時(shí)全年的最低水平71.2%，但是它認(rèn)為09年的水平僅77.4%。由于08及09兩年的投資大幅減少，導(dǎo)致產(chǎn)能可能不足，而使 IC的ASP平均售價(jià)上升，并估計(jì)在2010-2012的三年期間，每年有5%的增長(zhǎng)。

　　SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)

　　據(jù)SEMI報(bào)道，2009年全球因?yàn)橛?1個(gè)fab關(guān)閉，而使總的產(chǎn)能下降2-3%。明年產(chǎn)能將緩慢的回升，估計(jì)增長(zhǎng)4-5%，達(dá)每月總計(jì)2150萬(wàn)片(等值200mm計(jì)) 。在2010年的投資，主要是用于fab的升級(jí)改造，而不再是產(chǎn)能的擴(kuò)大。

　　SEMI的fab預(yù)測(cè)看到明年的fab升級(jí)改造是占投資的主要部分

　　在09年的240億美元投資中，有140億美元來(lái)自全球的六家公司，包括如Global Foundries，Inotera(Micron和南亞的合資廠)，Intel，Samsung，Toshiba及TSMC。這六家公司在挑戰(zhàn)經(jīng)濟(jì)危機(jī)中仍將在未來(lái)兩年中大量的投資。

　　Global Foundries在阿布扎比的ATIC支持下，09年投6-7億美元，未來(lái)兩年中每年投資超過(guò)10億美元。ATIC已承諾在未來(lái)5年內(nèi)為Global Foundries共計(jì)投資60億美元。

　　SEMI報(bào)告中指出，Inotera宣布，為推進(jìn)70納米的溝槽式技術(shù)向50納米的堆疊電容器技術(shù)轉(zhuǎn)移，將采用浸入式光刻機(jī)，所以預(yù)計(jì)投資達(dá)16億美元。Inotera是在臺(tái)塑集團(tuán)的支持下，因其是南亞的母公司。生產(chǎn)線的設(shè)備更新計(jì)劃從今年底開(kāi)始，—直延續(xù)到明年，預(yù)計(jì)直到2010年的化費(fèi)達(dá)10億美元。

　　Intel宣布在未來(lái)的兩年中投資70億美元，用來(lái)升級(jí)現(xiàn)在的生產(chǎn)線到32納米。預(yù)計(jì)2009年中化費(fèi)30-40億美元，及剰下的在2010年中花完。

　　Samsung要將在美國(guó)Austin的200mm DRAM生產(chǎn)線轉(zhuǎn)成300mm的專為NAND生產(chǎn)的后道生產(chǎn)線(BEOL)，用來(lái)支持現(xiàn)有的300mm NAND生產(chǎn)線。SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)報(bào)告中預(yù)計(jì)，三星與2010的投資合并在一起，總計(jì)達(dá)40-50億美元，主要用于Austin的改造以及在韓國(guó)的15 line與16 line中。

　　東芝正欲從全球股市中慕集30億美元，用來(lái)投資它的生產(chǎn)線。在過(guò)去的8年中作為一家非金融性公司的最大股市集資。東芝計(jì)劃今年有10億美元，明年再有20億美元。非?？赡?011年更多。SEMI認(rèn)為這些資金將用于全球日益增長(zhǎng)的NAND 閃存的需求，2009年增加到70-150億gigabytes及2011/2012年時(shí)為300-500億 gigabytes。

　　TSMC的今年投資計(jì)劃修正已是第二次，在7月時(shí)更新為今年投資23億美元及2010年的大于20億美元。