溫度自適應性DRAM刷新時鐘電路
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動態(tài)存儲器中的數據以電荷形式存儲在電容中，因為MOS晶體管漏電，電荷會逐漸漏失，最終造成數據丟失。所以，動態(tài)存儲器就需要不斷對數據進行刷新，補充電荷。由于漏電流的大小受溫度影響較大，導致電荷在存儲器電容中的保持時間隨著溫度改變而改變。傳統(tǒng)的刷新電路產生刷新信號的時鐘周期是預先設計好的，固定不變，無法根據溫度的變化自己調節(jié)周期，因此，傳統(tǒng)的刷新電路設計的刷新時鐘是基于高溫的情況，刷新頻率很快，這樣就使得常溫的時候刷新比較頻繁，消耗大量功耗。
本文提出一種具有溫度自適應的刷新時鐘電路，其頻率隨著溫度上升而上升。電路由基本的MOS管構成，利用了Diodes方式(二極管方式)連接的MOS管電流隨溫度變化的特點。電路不僅具有溫度特性，降低了功耗，而且占面積小，與一般的CMOS工藝完全兼容，不需要工藝上的特殊處理。
1 電路結構
圖1給出刷新時鐘電路示意圖。電路左邊是一條反相器反饋鏈，反相器鏈輸出和使能信號EN共同控制一個兩輸入端的與非門，與非門的輸出連接上拉管MP1的柵極，下拉管MN1柵極和刷新電路的時鐘輸出；反相器鏈輸入端連接的是電容C1，而且反相器鏈的輸入端的第一個反相器是施密特反相器。電路的右邊是時鐘調整單元。時鐘調整單元主要由一條充放電的通路構成，通路由3個基本的MOS管組成，其中上拉管MP1受與非門輸出控制，用于對電容C1進行充電；下拉管MN0也受與非門輸出控制，其狀態(tài)正好與MP1管相反，用于開啟放電通路，對電容C1進行放電；放電管MP0主要用于對電容C1放電，以Diodes方式連接。
2 電路工作原理
電路上電后，EN信號使能，電容C1沒有儲存電荷，Vcap點電壓為低電壓“0”，通過反相器鏈的反饋作用，N0點電壓是低電壓“0”，上拉管MP1開啟，下拉管MN1關閉，電源對電容C1充電，MP1的尺寸比較大，所以充電速度比較快，電容C1迅速被充到高電平。當電容C1電壓超過了施密特反相器的上翻轉點(假設為VM+，VM+>Vdd／2)，反相器鏈開始轉變狀態(tài)，通過反相器鏈的傳播，在N0點處，電壓變?yōu)楦唠娖健?”，迫使上拉管MP1關閉，下拉管MN1開啟，電容C1停止充電，開始通過放電通路泄放電荷，電容電壓Vcap開始下降。當電容電壓低于施密特反相器的下翻轉點(假設為VM-，VM-Vdd／2)，反相器狀態(tài)改變，經過反相器鏈，N0點電壓處重新變?yōu)榈碗娖健?”，上拉管MP1開啟，下拉管MN1關閉，電容又重新開始充電過程。在反復的充放電過程中，電路在OUT點產生了振蕩時鐘。
對于MOS電容C1，可以近似認為是平板電容：
C*U=Q
式中：C為電容大小，U為電容電壓(即Vcap點電壓)。隨著放電通路開啟，電容C1中的電荷Q逐漸漏失，電容的大小C不變，電容電壓U開始下降。同時，對于放電通路，MP0管以DIODES方式連接，MP0一直處于飽和狀態(tài)，對于飽和電流公式：
式中：Vth是閾值電壓，Vgs是柵源電壓。Ugs對應于電路上就是MP0管兩端電壓，又由于MN1是下拉管，尺寸大，所以放電通路開啟后，MP1管的柵端和漏端電壓基本等于地電壓，而且MP1管的源端又連接在電容上，所以，可以認為Vgs就是電容電壓。因為電容電壓隨著漏電下降，即Vgs隨漏電下降。所以根據飽和電流公式，電流Ids呈平方關系減小。隨著Ids減小，電容電荷漏失的速度變慢，電容電壓下降的速度也隨之變慢。
圖2說明的是以Diodes方式連接的晶體管，不同溫度下的電流和柵源電壓之間的關系。當柵源電壓比較高的時候，高溫時的飽和漏電流比低溫時的電流要低；相反地，當柵源電壓下降到閾值電壓附近，高溫時的飽和漏電流就比低溫時的電流要高。利用低柵源電壓的電流的溫度特性，高溫時，飽和漏電流Ids比低溫時大，電容C1的電壓下降得快，更快到達施密特反相器翻轉點VM-，電路振蕩時鐘周期就會比較短，相應地，其頻率就更快，就能夠體現出時鐘溫度的特性。
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