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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr2 sdram

基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應用已成為系統(tǒng)實現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究

  • 嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究,DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應用場合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持。因此，需要外接存儲器來擴展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應用中，存儲
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利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題

  • 在DSP應用系統(tǒng)中，需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機和攝像機中，為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
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PDMA在測試SDRAM控制器中的應用

  • PDMA在測試SDRAM控制器中的應用,我們設(shè)計了一個PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數(shù)據(jù)，采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實
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基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計

  • 基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計,RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存
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SDRAM接口時序和PCB布線長度的分析

  • 隨著系統(tǒng)復雜度的提高，SDRAM的運行速度也越來越快，對PCB布線帶來了影響，僅僅使用一些經(jīng)驗法則來設(shè)計SDRAM走線并不能完全保證系統(tǒng)的穩(wěn)定。不同的芯片有不同的時序要求，對走線的要求也是有差別，需要從理論上分析SDRAM時序和PCB走線長度之間的關(guān)系。
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便攜設(shè)備訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究

  • DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應用場合，需要有高...
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高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計

  • 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
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爾必達采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨

  • 　　爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計

  • 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應用

  • 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析，研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

  • 處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內(nèi)，皆屬于
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基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設(shè)計分析

  • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
  • 關(guān)鍵字： Cyclone  FPGA  DDR2  III    

DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐？

  • 　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。 　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達到了串行技術(shù)的速度，時鐘速度達到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
  • 關(guān)鍵字： SDRAM  DDR測試  

ASIC原型驗證板DDR2 速率再攀高峰

  • 　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來在用戶項目使用中，從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價，當然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機會，把握用戶提出的問題和建議，配合用戶完成項目的同時對這款產(chǎn)品進行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對唐芯微電子售后服務有了更進一步體會，而且?guī)醉椉夹g(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
  • 關(guān)鍵字： ASIC  DDR2  
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