ddr2 sdram 文章進(jìn)入ddr2 sdram技術(shù)社區(qū)

賽靈思為SPARTAN-3系列提供DDR2-400接口支持

賽靈思公司宣布為其經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的低成本90 nm Spartan™-3A 和 Spartan™-3AN FPGA提供400 Mbps DDR2 SDRAM 接口 (DDR2-400)支持。設(shè)計(jì)人員可以免費(fèi)下載經(jīng)硬件驗(yàn)證過的、可快速實(shí)現(xiàn)400 Mbps DDR2 SDRAM接口的參考設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)與賽靈思公司全面的開發(fā)套件和軟件工具相配合可幫助客戶快速實(shí)
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ADSP-TS201的系統(tǒng)設(shè)計(jì)及外部總線接口技術(shù)

1 引言隨著雷達(dá)技術(shù)發(fā)展，大帶寬高分辨力、多種信號(hào)處理方式的采用，使得實(shí)時(shí)信號(hào)處理對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度大大提高。同時(shí)在雷達(dá)信號(hào)處理中運(yùn)算量大，數(shù)據(jù)吞吐量急劇上升，對(duì)數(shù)據(jù)處理的要求不斷提高。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，作為數(shù)字信號(hào)處理的核心數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)得到了快速的發(fā)展和應(yīng)用。ADSP-TS201DSP是美國(guó)模擬器件(ADD公司繼TSl01之后推出的一款高性能處理器。此系列DSP性價(jià)比很高，兼有FPGA和ASIC信號(hào)處理性能和指令集處理器的高度可編程性，適用于大存儲(chǔ)量、高性能、高速度的信號(hào)處理和圖像
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Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì)

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì),OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demONSTrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCorereg; product. This reference design provides an interface betw
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Altera實(shí)現(xiàn)對(duì)新的JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的支持

　　Altera宣布，在FPGA業(yè)界實(shí)現(xiàn)了對(duì)高性能DDR3存儲(chǔ)器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)下，Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設(shè)計(jì)人員充分發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的高性能和低功耗優(yōu)勢(shì)，這類存儲(chǔ)器在通信、計(jì)算機(jī)和視頻處理等多種應(yīng)用中越來越關(guān)鍵。　　這些應(yīng)用處理大量的數(shù)據(jù)，需要對(duì)高性能存儲(chǔ)器進(jìn)行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)可滿足DDR3存儲(chǔ)器的1.5V低功耗電壓供電要求，在下一
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美光最新Aspen Memory打造低功耗DDR2模塊

美光科技公司近日推出了其最新AspenMemory系列的節(jié)能產(chǎn)品，它是一款以RCC（reducedchipcount）存儲(chǔ)模塊構(gòu)成的低壓DDR2DRAM芯片。這些新產(chǎn)品是專門用來降低服務(wù)器功耗的。美光科技公司將繼續(xù)開發(fā)其他產(chǎn)品以發(fā)展AspenMemory產(chǎn)品系列，由于功耗問題已經(jīng)成為許多企業(yè)數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器和筆記本電腦面臨的一個(gè)大問題，因此這個(gè)產(chǎn)品系列的應(yīng)用范圍將非常廣闊。美光科技公司存儲(chǔ)器集團(tuán)副總裁BrianShirley表示：“目前IT服務(wù)
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安捷倫發(fā)布基于示波器的DDR2符合性測(cè)試應(yīng)用軟件

安捷倫科技今天發(fā)布業(yè)內(nèi)第一種基于示波器的 DDR2 符合性測(cè)試應(yīng)用軟件，它最適合計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、電子數(shù)據(jù)處理和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)的工程師使用。該 Agilent N5413A DDR2 測(cè)試應(yīng)用軟件在 Infiniium 54850 和 80000 系列示波器上運(yùn)行，提供基于電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ JEDEC）JESD79-2C DDR2 SDRAM&
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安捷倫發(fā)布業(yè)內(nèi)第一種基于示波器的 DDR2

　　安捷倫科技發(fā)布業(yè)內(nèi)第一種基于示波器的 DDR2 符合性測(cè)試應(yīng)用軟件，它最適合計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、電子數(shù)據(jù)處理和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)的工程師使用。該 Agilent N5413A DDR2 測(cè)試應(yīng)用軟件在 Infiniium 54850 和 80000 系列示波器上運(yùn)行，提供基于電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ JEDEC）JESD79-2C DDR2 SDRAM&
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲(chǔ)器工業(yè)控制

利用FPGA解決TMS320C54x與SDRAM的接口問題

在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲(chǔ)器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場(chǎng)拍攝的諸多圖片或圖像暫存下來，需要將DSP處理后的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到外存中以備后用。從目前的存儲(chǔ)器市場(chǎng)看，SDRAM由于其性能價(jià)格比的優(yōu)勢(shì)，而被DSP開發(fā)者所青睞。DSP與SDRAM直接接口是不可能的。 FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）由于其具有使用靈活、執(zhí)行速度快、開發(fā)工具豐富的特點(diǎn)而越來越多地出現(xiàn)在現(xiàn)場(chǎng)電路設(shè)計(jì)中。本文用FPGA作為接口芯片，提供控制信號(hào)和定時(shí)信號(hào)，來實(shí)現(xiàn)DSP到SDRAM的數(shù)據(jù)存取。 1 SDRA
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DSP片外高速海置SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號(hào)處理應(yīng)用場(chǎng)合，需要有高速大容量存儲(chǔ)空間的強(qiáng)力支持，來滿足系統(tǒng)對(duì)海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)來擴(kuò)展嵌入式DSP系統(tǒng)存儲(chǔ)空間的方法，選用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片，詳細(xì)論述在基于TMS320C6201(簡(jiǎn)稱C6201)的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 IS42S16400芯片簡(jiǎn)介IS42S16400是ISSl公司推出的一種單片存儲(chǔ)容量高達(dá)64 Mb(即8 MB)的16位字寬高速SDRAM芯片。
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基于SDRAM的視頻處理器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

筆者在研究有關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，根據(jù)具體情況提出一種獨(dú)特的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SDRAM的控制，并通過利用FPGA控制數(shù)據(jù)存取的順序來實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字視頻圖像的旋轉(zhuǎn)，截取、平移等實(shí)時(shí)處理。
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Reg istered SDRAM在MPC8241系統(tǒng)中的應(yīng)用

介紹Registered SDRAM的工作原理和接口芯片，以及在MPC8241嵌入式系統(tǒng)中進(jìn)行Registered SDRAM電路設(shè)計(jì)的實(shí)例；給出電路原理設(shè)計(jì)和PCB布局布線的一般規(guī)則。
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三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量

　　據(jù)國(guó)外媒體援引消息人士透露，韓國(guó)芯片巨頭三星電子計(jì)劃進(jìn)一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬(wàn)個(gè) “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計(jì)劃進(jìn)一步壓縮5000萬(wàn)個(gè)單位。這位消息人士說，三星電子計(jì)劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場(chǎng)供不應(yīng)求的NAND閃存產(chǎn)品。　　三星電子這個(gè)舉措符合存儲(chǔ)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli對(duì)明年DRAM市場(chǎng)所作的估計(jì)。據(jù)這家機(jī)構(gòu)
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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測(cè)試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場(chǎng)上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫(kù)存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫(kù)存，使得上周現(xiàn)貨市場(chǎng)方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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