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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-mems

高清監(jiān)控前端及核心組件發(fā)展趨勢分析

  • 　　談到高清攝像機(jī)前端問題，從推出到現(xiàn)在普遍的應(yīng)用，a&s分別就IP與HD-SDI在諸多文章中舉出若干存在的障礙和問題，綜合整理大致有以下十點(diǎn)。前端高清攝像機(jī)的十大問題給工程商在攝像機(jī)應(yīng)用選型及使用上帶來很多困惑，因?yàn)檫@十大問題幾乎都與高清攝像機(jī)所采用的元器組件有很大的關(guān)聯(lián)，而對于更加專業(yè)的元器件的知識，工程商實(shí)在不知該如何從高清攝像機(jī)的規(guī)格特性條件上看出端倪，從而解決相應(yīng)的問題。 　　IP與HD-SDI前端常見的十大問題： 　　Sensor傳感器幀數(shù)條件差異造成高清效果差異; 　　DSP/
  • 關(guān)鍵字： 攝像機(jī)  CMOS  HD-SDI  

中國MEMS傳感器市場分析

  • 　　傳感技術(shù)是獲取信息的技術(shù)，是信息技術(shù)的基石。通過傳感技術(shù)如信息識別、信息提取、信息監(jiān)測等來取得信息，然后通過通信技術(shù)來實(shí)現(xiàn)信息的快速、可靠、安全的轉(zhuǎn)移即傳遞信息，進(jìn)而通過計(jì)算機(jī)技術(shù)來對信息進(jìn)行編碼、壓縮、加密、存儲等處理，最后通過控制技術(shù)來利用所獲得的信息。 　　信息技術(shù)的發(fā)展對MEMS傳感技術(shù)提出更高的要求，也指引未來發(fā)展的方向：1.向高精度發(fā)展例如精確制導(dǎo);2.向高可靠性、寬溫度范圍發(fā)展;3.向微型化發(fā)展，如各種便攜設(shè)備應(yīng)用;4.向微功耗及無源化發(fā)展;5.向網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展，與無線技術(shù)結(jié)合;6.向智能
  • 關(guān)鍵字： 博世  MEMS  CMOS  

基于協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

  • 什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)?對于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫米
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)碼相機(jī)  方案  傳感器  CMOS  處理器  基于  

X-FAB收購MFI大部分股份

  • X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  MEMS  MFI  

MEMS前5大廠排名 ST將坐二望一

  • 　　2011年全球微機(jī)電(Micro Electro Mechanical System;MEMS)前4大廠依序?yàn)榈轮輧x器(Texas Instruments)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、惠普(Hewlett Packard;HP)、博世(Robert Bosch)，除惠普為系統(tǒng)業(yè)者外，其他3家廠商均為整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)。 　　2011年德州儀器MEMS事業(yè)營收較2010年成長51.2%，為9.1億美元，其現(xiàn)為數(shù)位
  • 關(guān)鍵字： ST  MEMS  元件  

基于MC34152和CMOS的軟開關(guān)變換器驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

  • 在高頻PWM開關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計(jì)可靠的柵極驅(qū)動電路。一個(gè)性能良 ...
  • 關(guān)鍵字： MC34152  CMOS  軟開關(guān)變換器  驅(qū)動電路  

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

  • 引言　　模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器 ...
  • 關(guān)鍵字： 高精度  CMOS  帶隙  基準(zhǔn)源  

基于MEMS 和MR 傳感器的嵌入式系統(tǒng)姿態(tài)測量

  • 摘要: 本文介紹了一種基于新型MEMS加速度計(jì)和MR(磁阻)傳感器的嵌入式姿態(tài)測量系統(tǒng)。通過本系統(tǒng)，可以獲得載體的三個(gè)姿態(tài)參數(shù)：基于地球磁場的方位角，基于地球重力場的俯仰角和橫滾角。1. 介紹：傳統(tǒng)的姿態(tài)測量系統(tǒng)采
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  姿態(tài)  測量  嵌入式  傳感器  MEMS  MR  基于  

意法與奧迪攜手共同推進(jìn)汽車半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

  • 全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案，推進(jìn)汽車電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。意法半導(dǎo)體自1987年成立以來始終專注于汽車電子技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新。
  • 關(guān)鍵字： 意法  奧迪  CMOS  

基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

  • 摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創(chuàng)新的設(shè)計(jì)達(dá)到了與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細(xì)地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場的局面。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  振蕩器  201210  

MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

  • MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
  • 關(guān)鍵字： MAX1471  低功耗  CMOS  超外差  RF雙通道  

MEMS在汽車電子中的應(yīng)用及發(fā)展

  • 在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計(jì)。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： MEMS  汽車電子  發(fā)展  中的應(yīng)用    

CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

  • 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí)，隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加，邏輯測試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測試方法的不足，基于靜
  • 關(guān)鍵字： 電流  電路  傳感器  CMOS  集成電路  

一種新穎啟動方式的CMOS低功耗電流源

  • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  低功耗  電流源  

高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

  • 引言本文采用plusmn;5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
  • 關(guān)鍵字： CMOS  高線性度  調(diào)幅  電路技術(shù)    
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