cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

淺談網(wǎng)絡(luò)高清攝像機(jī)優(yōu)勢(shì) CMOS是主流技術(shù)

網(wǎng)絡(luò)高清CCD主要是索尼，CMOS傳感器芯片供應(yīng)商比較多，高端的如索尼、松下，中端的如美光，中低端的如Omnivision(蘋果手機(jī)用的也是這種)。CCD和CMOS傳感器在網(wǎng)絡(luò)高清上的表現(xiàn)主要由他們不同的處理技術(shù)決定，CCD采用全
關(guān)鍵字：主流技術(shù) CMOS 優(yōu)勢(shì) 高清攝像機(jī) 網(wǎng)絡(luò)

X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份

　　X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。　　此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠補(bǔ)充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產(chǎn)能力及資源，添加了微感應(yīng)器、制動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與密封晶片級(jí)封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。　　X-FAB MEMS Found
關(guān)鍵字： X-FAB 微感應(yīng)器 MEMS

高清監(jiān)控前端及核心組件發(fā)展趨勢(shì)分析

　　談到高清攝像機(jī)前端問(wèn)題，從推出到現(xiàn)在普遍的應(yīng)用，a&s分別就IP與HD-SDI在諸多文章中舉出若干存在的障礙和問(wèn)題，綜合整理大致有以下十點(diǎn)。前端高清攝像機(jī)的十大問(wèn)題給工程商在攝像機(jī)應(yīng)用選型及使用上帶來(lái)很多困惑，因?yàn)檫@十大問(wèn)題幾乎都與高清攝像機(jī)所采用的元器組件有很大的關(guān)聯(lián)，而對(duì)于更加專業(yè)的元器件的知識(shí)，工程商實(shí)在不知該如何從高清攝像機(jī)的規(guī)格特性條件上看出端倪，從而解決相應(yīng)的問(wèn)題。　　IP與HD-SDI前端常見(jiàn)的十大問(wèn)題：　　Sensor傳感器幀數(shù)條件差異造成高清效果差異; 　　DSP/
關(guān)鍵字：攝像機(jī) CMOS HD-SDI

中國(guó)MEMS傳感器市場(chǎng)分析

　　傳感技術(shù)是獲取信息的技術(shù)，是信息技術(shù)的基石。通過(guò)傳感技術(shù)如信息識(shí)別、信息提取、信息監(jiān)測(cè)等來(lái)取得信息，然后通過(guò)通信技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的快速、可靠、安全的轉(zhuǎn)移即傳遞信息，進(jìn)而通過(guò)計(jì)算機(jī)技術(shù)來(lái)對(duì)信息進(jìn)行編碼、壓縮、加密、存儲(chǔ)等處理，最后通過(guò)控制技術(shù)來(lái)利用所獲得的信息。　　信息技術(shù)的發(fā)展對(duì)MEMS傳感技術(shù)提出更高的要求，也指引未來(lái)發(fā)展的方向：1.向高精度發(fā)展例如精確制導(dǎo);2.向高可靠性、寬溫度范圍發(fā)展;3.向微型化發(fā)展，如各種便攜設(shè)備應(yīng)用;4.向微功耗及無(wú)源化發(fā)展;5.向網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展，與無(wú)線技術(shù)結(jié)合;6.向智能
關(guān)鍵字：博世 MEMS CMOS

基于協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)?對(duì)于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒(méi)有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對(duì)象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫米
關(guān)鍵字：數(shù)碼相機(jī) 方案傳感器 CMOS 處理器基于

X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份

X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
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MEMS前5大廠排名 ST將坐二望一

　　2011年全球微機(jī)電(Micro Electro Mechanical System;MEMS)前4大廠依序?yàn)榈轮輧x器(Texas Instruments)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、惠普(Hewlett Packard;HP)、博世(Robert Bosch)，除惠普為系統(tǒng)業(yè)者外，其他3家廠商均為整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)。　　2011年德州儀器MEMS事業(yè)營(yíng)收較2010年成長(zhǎng)51.2%，為9.1億美元，其現(xiàn)為數(shù)位
關(guān)鍵字： ST MEMS 元件

基于MC34152和CMOS的軟開(kāi)關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

在高頻PWM開(kāi)關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計(jì)可靠的柵極驅(qū)動(dòng)電路。一個(gè)性能良 ...
關(guān)鍵字： MC34152 CMOS 軟開(kāi)關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

引言　　模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器 ...
關(guān)鍵字：高精度 CMOS 帶隙基準(zhǔn)源

基于MEMS 和MR 傳感器的嵌入式系統(tǒng)姿態(tài)測(cè)量

摘要: 本文介紹了一種基于新型MEMS加速度計(jì)和MR(磁阻)傳感器的嵌入式姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)。通過(guò)本系統(tǒng)，可以獲得載體的三個(gè)姿態(tài)參數(shù)：基于地球磁場(chǎng)的方位角，基于地球重力場(chǎng)的俯仰角和橫滾角。1. 介紹：傳統(tǒng)的姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)采
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 姿態(tài) 測(cè)量嵌入式傳感器 MEMS MR 基于

意法與奧迪攜手共同推進(jìn)汽車半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案，推進(jìn)汽車電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。意法半導(dǎo)體自1987年成立以來(lái)始終專注于汽車電子技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新。
關(guān)鍵字：意法奧迪 CMOS

基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無(wú)晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過(guò)常見(jiàn)的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創(chuàng)新的設(shè)計(jì)達(dá)到了與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細(xì)地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場(chǎng)的局面。
關(guān)鍵字： CMOS 振蕩器 201210

MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
關(guān)鍵字： MAX1471 低功耗 CMOS 超外差 RF雙通道

MEMS在汽車電子中的應(yīng)用及發(fā)展

在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開(kāi)始大量采用MEMS加速度計(jì)。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品
關(guān)鍵字： MEMS 汽車電子發(fā)展中的應(yīng)用

CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開(kāi)路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí)，隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加，邏輯測(cè)試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測(cè)試方法的不足，基于靜
關(guān)鍵字：電流電路傳感器 CMOS 集成電路