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東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略 致力BSI型CMOS傳感器
- 東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力,應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中,應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實(shí)力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
- 關(guān)鍵字: 東芝 CMOS 傳感器
采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)

- 摘要:分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理,以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系,并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0.25mu;m CMOS工藝,射頻信號為2.
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 平衡 CMOS ADS 采用
基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
- 摘要:傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案,利用二級管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
- 關(guān)鍵字: CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)
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