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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-09-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 引言

本文引用地址:http://2s4d.com/article/178653.htm

  鋰產(chǎn)品以高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場(chǎng)很大份額。然而,鋰產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如負(fù)載短路),將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部發(fā)熱,可能引起電池或其它器件的損害,嚴(yán)重影響到電池使用的安全性。因此,鋰電池產(chǎn)品電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用必不可少。

  本論文標(biāo)準(zhǔn),設(shè)計(jì)了一種全功能電池電路。通過(guò)過(guò)放電檢測(cè)輸出端、過(guò)充電檢測(cè)輸出端的輸出電平控制外接的兩個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)斷,從而達(dá)到對(duì)電池實(shí)施的目的。全功能電池保護(hù)電路原理,針對(duì)過(guò)放電、過(guò)充電、放電過(guò)電流、負(fù)載短路等異常狀態(tài)設(shè)置了相應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。

  2 電池保護(hù)電路原理分析

  本論文所設(shè)計(jì)的電池保護(hù)電路應(yīng)用示意圖如圖1所示。實(shí)線框內(nèi)為電池保護(hù)電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,框外為外圍器件連接示意圖。

  圖1中,DOUT為過(guò)放電檢測(cè)的輸出,COUT為過(guò)充電檢測(cè)的CMOS輸出,VDD為電池電壓輸入,VSS為芯片接地引腳,DS為響應(yīng)延遲時(shí)間縮短控制輸入端,V-為放電過(guò)流檢測(cè)端。

  在充電時(shí),若電池電壓高于過(guò)充電檢測(cè)電壓并保持相應(yīng)的延遲時(shí)間,COUT端由高電位變?yōu)榈碗娢?,充電控制MOS管MC關(guān)斷,芯片進(jìn)入過(guò)充電保護(hù)狀態(tài),停止充電。

  在放電時(shí),若電池電壓低于過(guò)放電檢測(cè)電壓并保持相應(yīng)的延遲時(shí)間,DOUT端由高電位變?yōu)榈碗娢唬烹娍刂芃OS管MD關(guān)斷,芯片進(jìn)入過(guò)放電保護(hù)模式,停止放電。

  

鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)電路芯片應(yīng)用電路圖以及內(nèi)部系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

  圖1 鋰離子/鋰電池保護(hù)電路芯片應(yīng)用電路圖以及內(nèi)部系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

  在放電時(shí),芯片同時(shí)監(jiān)控V-端電壓。當(dāng)因電流過(guò)大引起V-端電壓高于放電過(guò)電流檢測(cè)電壓,而低于短路檢測(cè)電壓時(shí),芯片進(jìn)入放電過(guò)電流保護(hù)狀態(tài);當(dāng)V-端電壓高于短路檢測(cè)電壓時(shí),芯片進(jìn)入短路保護(hù)狀態(tài)。此時(shí),DOUT端輸出由高電位變?yōu)榈碗娢?,關(guān)斷MD防止電路中通過(guò)強(qiáng)電流。

  圖1中,R1和C1起到對(duì)外接充電器或與其并聯(lián)的二次電池的電壓波動(dòng)進(jìn)行平滑濾波抑制的作用。而電阻R1、R2為當(dāng)對(duì)電池反向充電或充電器充電電壓超過(guò)芯片絕對(duì)極限額定充電電壓值時(shí)的限流電阻。

  該系統(tǒng)中主要包括過(guò)充電檢測(cè)電路(VD1)、過(guò)放電檢測(cè)電路(VD2)、放電過(guò)電流檢測(cè)電路(VD3)和短路檢測(cè)電路、電平轉(zhuǎn)換電路、基準(zhǔn)電路、振蕩電路以及偏置電路等。

  3 

  由于保護(hù)電路依靠電池來(lái)供應(yīng)其電源電壓,為了不影響電池的待機(jī)時(shí)間,應(yīng)盡可能設(shè)計(jì)低電源電壓、低功耗的電池保護(hù)電路。

  3.1 檢測(cè)

  由于檢測(cè)電路VD1、VD2、VD3原理類似,在此以過(guò)放電檢測(cè)電路(VD2)設(shè)計(jì)為例進(jìn)行分析。為了滿足整個(gè)芯片功耗小的要求,可設(shè)計(jì)該電路處于亞閾值工作狀態(tài),有效降低其工作電流及電壓。

  

過(guò)放電檢測(cè)電路

  圖2 過(guò)放電檢測(cè)電路


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