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傳感器技術(shù)面臨新型突破

  • 　　日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于數(shù)碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫(yī)學(xué)設(shè)備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規(guī)模增長，八十年代開始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數(shù)碼相機等CCD傳統(tǒng)應(yīng)用市場。 　　圖像傳感器領(lǐng)域的這一變化只是傳感器技術(shù)變化的一個縮影。傳感器技術(shù)的最大特點就是不斷引入多學(xué)科的新技術(shù)發(fā)展新功能，現(xiàn)在，隨著電子、M
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Micrel 120V高壓LDO MAQ5280特征及應(yīng)用介紹

  • 　　Micrel公司是全球模擬、高帶寬通信和以太網(wǎng)集成電路解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，該公司于2008年推出了業(yè)界第一款汽車級應(yīng)用的120V LDO——MAQ5280。 　　MAQ5280的結(jié)構(gòu)及特征 　　MAQ5280內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由兩部分組成，如下所示： 　　輸入電壓比較低的LDO結(jié)構(gòu)如上圖的Post Regulator，輸出電壓經(jīng)過運放采樣后，來控制P型晶體管的導(dǎo)通程度，從而達到穩(wěn)定輸出電壓的目的。 　　MAQ5280能夠承受的輸入電壓高至120V，所以需要在Post R
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一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

  • 摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計，鋸齒波信號的線性度較好，當(dāng)負(fù)載電路減小時，自動進入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
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解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

  • 　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中，一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟效益前進。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢，并認(rèn)為&
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賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

  • 　　賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)協(xié)議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現(xiàn)53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應(yīng)用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
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瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 　　在So
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便攜應(yīng)用中如何選擇LDO

  • 接地電流或靜態(tài)電流 （IGND 或 IQ）、電源波紋抑止比 (PSRR)、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應(yīng)用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調(diào)節(jié)器(LDO) 時，需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電
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LDO的選用原則及應(yīng)用

  • 1. 輸入輸出電壓差輸入輸出電壓差是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù)。在保證輸出電壓穩(wěn)定的前提下，該電壓差越低，線性穩(wěn)壓器的性能越好。比如，5.0V的低壓差線性穩(wěn)壓器，只要輸入5.5V，就能使輸出電壓穩(wěn)定在5.0V。2.
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LDO的基本原理

  • 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本電路如圖1-1 所示，該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1 和R2、比較放大器A 組成。圖1-1 低壓差線性穩(wěn)壓器基本電路
    取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref 相
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Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進CMOS技術(shù)進一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設(shè)計公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
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0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計

  • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

  • 用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
    R=端接電阻的有效值
    VHI=高電平輸出（通常等于VT）
    VLO=低電平輸出
    VEE=輸出晶體管的射極（或源極
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高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

  • 引言
    本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用
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CMOS雙向開關(guān)工作原理

  • CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個開關(guān)只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
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CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機”夢受阻

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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