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一種高性能CMOS電荷泵的設計

  • 摘要: 設計了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進行泵電流鏡像，增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻，實現(xiàn)了上下兩個電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問題
  • 關鍵字： 設計  電荷  CMOS  高性能  

RF4CE射頻遙控器的設計要點

  • 無線通信產(chǎn)品一直朝著低成本、低消耗功率、小體積等趨勢向前發(fā)展。短距離設備(Short-RangeDevices)更...
  • 關鍵字： Zigbee  射頻遙控器  RF4CE  CMOS  

OmniVision推出圖像傳感器OV9715 CMOS

  • 　　高端數(shù)字成像解決方案的領先開發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.(納斯達克代碼： OVTI)，今日宣布其 OV9715 CMOS 圖像傳感器即將上市。該傳感器可用于 360 度視圖以及其他獨立攝像頭或多攝像頭汽車視覺系統(tǒng)中。 這款 100 萬像素的 OV9715 是一款完全達到 AEC-Q100 標準的 CMOS 圖像傳感器，專為高級駕駛輔助系統(tǒng)而優(yōu)化， 現(xiàn)已向多家頂級汽車供應商供貨。 　　“OV9715 是引導領先功能的先鋒，它實現(xiàn)了最高端的多攝像頭汽車應用
  • 關鍵字： OmniVision  圖像傳感器  OV9715 CMOS  

任重而道遠：中芯國際將力爭在今年實現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

  • 　　據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發(fā);同時力爭實 現(xiàn)45納米和40納米技術的小批量試產(chǎn)。 　　在第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術評選中，中芯國際有兩項技術獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術”。 　　據(jù)介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術的認證，并于2009年第三季度
  • 關鍵字： 嵌入式  65納米  40納米  CMOS  

ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運算放大器

  • 　　Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，今天宣布針對中國市場發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產(chǎn)品相比，ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實現(xiàn)同樣的高速性能。與此同時，ADI 在高速運算放大器產(chǎn)品領域的行業(yè)絕對領導地位以及對于中國市場的長期承諾和投入，也確保了中國客戶能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術支持。針對中國市場的需求，ADI 還將彌
  • 關鍵字： ADI  CMOS  運算放大器  ADA489  

IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無線收發(fā)器

  • 　　在2010年2月10日召開的國際固態(tài)電子電路大會上，IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無線標準和應用要求，并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標準。 　　可隨時隨地為用戶提供大量服務的無線通信終端發(fā)展趨勢，推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經(jīng)濟的實現(xiàn)方式。并
  • 關鍵字： 瑞薩  40nm  CMOS  無線收發(fā)器  

愛爾蘭科學家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管

  • 　　愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個原子的直徑加起來那么大。 　　該研發(fā)團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點，而且還可以兼容于CMOS工藝。 　　硅溝道中的電
  • 關鍵字： 晶體管  CMOS  

格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國際出貨達10萬片

  • 　　作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設計公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達到10萬片的新里程碑。 　　牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領域并取得成功的專業(yè)CMOS圖像傳感器設計公司，格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
  • 關鍵字： 格科微  CMOS  圖像傳感器  

再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制，預計將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。 　　據(jù)了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。 　　據(jù)了解，新的8寸晶
  • 關鍵字： Samsung  CMOS  晶圓  

滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路

  • 滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
  • 關鍵字： 德州儀器  LDO  應用  電路  要求  存儲器  StrataFlash  嵌入式  滿足  

超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計

  • 　隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結構簡單、成本低廉、低噪聲、
  • 關鍵字： 設計  穩(wěn)壓器  線性  CMOS  超低  

巧焊場效應管和CMOS集成電路

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
  • 關鍵字： CMOS  焊  場效應管  集成電路    
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