cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

imec中國(guó)成立與華力合作項(xiàng)目正式簽約

　　5月25日，imec中國(guó)正式在上海張江高科技園區(qū)成立。同時(shí)，與華力微電子在先進(jìn)芯片制程工藝技術(shù)上的合作開(kāi)發(fā)項(xiàng)目也正式簽約。　　imec與中國(guó)的合作已有十年的歷史，隨著中國(guó)在先進(jìn)制程上的不斷投入，中國(guó)已經(jīng)成為imec潛在的一個(gè)重要市場(chǎng)。imec中國(guó)今后將會(huì)進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)、高校和科研院所在微電子技術(shù)轉(zhuǎn)讓與許可、聯(lián)合研發(fā)以及培訓(xùn)等領(lǐng)域的合作。目前imec中國(guó)只有五名員工，隨著今后越來(lái)越多的合作協(xié)議的簽訂，imec中國(guó)將會(huì)吸引更多的研發(fā)人員與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)展開(kāi)更加緊密地合作。　　imec中國(guó)成立當(dāng)天，
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音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計(jì)。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個(gè)運(yùn)算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) CMOS 功率放大器音頻

OmniVision推出世上最小高清攝像機(jī)解決方案

　　高端數(shù)字成像解決方案的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.今日推出了 OV2720，是世界上第一個(gè)1/6-inch，原生1080p/30的高清晰度(HD)的CMOS圖像傳感器。OV2720主要針對(duì)筆記本電腦，上網(wǎng)本，攝像頭和視頻會(huì)議等應(yīng)用而設(shè)計(jì)。OV2720是以該公司1.4微米「OmniBSI」背面照度(Backside Illumination，BSI)技術(shù)為基礎(chǔ)，可提供HD品質(zhì)的影像會(huì)議，同時(shí)還能符合現(xiàn)今薄型筆記本電腦所要求的模組尺寸。　　OV2720已開(kāi)始
關(guān)鍵字： OmniVision CMOS，圖像傳感器

短話聯(lián)電30年

　　30年前的5月20日，臺(tái)灣第一家半導(dǎo)體公司─聯(lián)電誕生，這是培育半導(dǎo)體界人才的搖籃，由于投身晶圓代工產(chǎn)業(yè)，為臺(tái)灣半導(dǎo)體打造完整上中下游產(chǎn)業(yè)鏈，孕育臺(tái)灣兆元產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。聯(lián)電接著將借由合并和艦，啟動(dòng)下一個(gè)30年的成長(zhǎng)，揭開(kāi)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體兩岸產(chǎn)業(yè)分工的新頁(yè)。　　聯(lián)電將在20日于南科12A廠盛大舉辦慶生活動(dòng)，聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)表示，當(dāng)天將會(huì)和聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智透過(guò)網(wǎng)絡(luò)視訊，為聯(lián)電同仁加油、打氣。　　面對(duì)聯(lián)電下一個(gè)30年，曹興誠(chéng)認(rèn)為，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不像當(dāng)年，擁有資本市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，但聯(lián)電處在一個(gè)對(duì)的經(jīng)營(yíng)模
關(guān)鍵字：聯(lián)電晶圓代工 CMOS

IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作

　　IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開(kāi)發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺(tái)積電進(jìn)行合作。　　盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來(lái)推動(dòng)CMOS技術(shù)的進(jìn)步。　　IMEC總裁在Dresden的國(guó)際電子學(xué)年會(huì)上認(rèn)為,IMEC欲開(kāi)發(fā)專業(yè)應(yīng)用的CMORE平臺(tái)。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲(chǔ)器采用熱，化學(xué)及光學(xué)傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結(jié)合在
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IR推出汽車用AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括直噴裝置和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。　　AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)傳輸時(shí)間非常短，可以在更高的頻率下驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，由此可通過(guò)使用更小的濾波元件縮小系統(tǒng)尺寸。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車用I
關(guān)鍵字： IR CMOS IC

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
關(guān)鍵字： CMOS LED 驅(qū)動(dòng)器改進(jìn)型

IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)

　　歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。　　可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的費(fèi)用高聳,也難以為繼。　　近幾年來(lái)IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強(qiáng)它在全球的超級(jí)能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強(qiáng)合作。　　IMEC作
關(guān)鍵字： IMEC 光刻 CMOS

IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

　　致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費(fèi)、計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用中無(wú)需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見(jiàn)串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供
關(guān)鍵字： IDT 振蕩器 CMOS

海力士將于5月決定8寸晶圓廠未來(lái)　

　　海力士(Hynix)唯一還在運(yùn)作中的8寸晶圓廠M8產(chǎn)線，下周將確定往后的運(yùn)用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因?yàn)槌掷m(xù)運(yùn)作，早晚會(huì)遭遇收益性問(wèn)題，而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設(shè)計(jì)業(yè)者提議將此設(shè)施作為代工專用廠使用，另外也有建構(gòu)成韓國(guó)代表性純代工廠的意見(jiàn)。　　海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲22日在財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)中，針對(duì)M8 廠是否會(huì)改變?yōu)榇Ｓ脧S的問(wèn)題表示，目前正在多方探討M8廠長(zhǎng)期性的活用方案，5月底前可定案。　　位于韓國(guó)忠清北道清州的M8廠主要生產(chǎn)低容量快閃存儲(chǔ)器，并
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CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)計(jì)

介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對(duì)其兩種快門方式進(jìn)行了比較。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)它所需要的時(shí)序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設(shè)計(jì)平臺(tái)，對(duì)采用不同配置和快門的時(shí)序控制電路進(jìn)行了仿真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足成像器的工作需求。
關(guān)鍵字：時(shí)序設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IBIS5-B-1300 圖像傳感器 CMOS 數(shù)字信號(hào)

全球最大容量爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫(yī)學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設(shè)備)圖像傳感器的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。現(xiàn)在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據(jù)很
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臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事

　　象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見(jiàn)到張時(shí)仍是如1990年首次見(jiàn)到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CMOS Analog MEMS RF