首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
  • 關(guān)鍵字： 流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種  

安森美半導(dǎo)體推出5款新集成器件

  • 　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出5款新的低壓降(LDO)及超低壓降線性穩(wěn)壓器，用于寬范圍汽車應(yīng)用，如后視攝像頭模塊、儀表組合、車身及底盤應(yīng)用。這些新器件以節(jié)省空間的集成方案提供150毫安(mA)輸出電流，符合汽車制造商對(duì)點(diǎn)火系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)極低靜態(tài)電流的最新要求。 　　· NCV8667 – 極低靜態(tài)電流(Iq)穩(wěn)壓器，帶啟用(Enable)、復(fù)位及預(yù)警(Early Warning)功能 　　·
  • 關(guān)鍵字： 安森美  穩(wěn)壓器  LDO  

選擇旁路電容很重要

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 旁路電容  LDO  多層陶瓷電容  

思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造

  • 　　7月10日，北京思比科微電子董事長(zhǎng)陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
  • 關(guān)鍵字： 思比科  CMOS  

APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎(jiǎng)

  • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(huì)(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎(jiǎng)。
  • 關(guān)鍵字： Aptina  CMOS  

Silicon Labs廣播收音機(jī)IC出貨量突破十億顆

  • 　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機(jī)IC出貨量已達(dá)十億顆，締造了廣播音頻市場(chǎng)的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機(jī)芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)、個(gè)人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機(jī)、便攜式收音機(jī)、音響和許多其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。 　　Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機(jī)IC，Si4700 IC重構(gòu)了消
  • 關(guān)鍵字： Silicon-Labs  IC  CMOS  

CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

  • 目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
  • 關(guān)鍵字： Sensor  CMOS  調(diào)試  經(jīng)驗(yàn)    

“寬動(dòng)態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)標(biāo)配

  • 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個(gè)非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場(chǎng)合，發(fā)揮了重要的作用。寬動(dòng)...
  • 關(guān)鍵字： 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)  CCD+DSP  CMOS+DPS  

CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  振蕩器  CMOS  

標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對(duì)納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對(duì)那些不了解
  • 關(guān)鍵字： 納米  CMOS  

高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對(duì)俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  CMOS  

SuVolta全新CMOS平臺(tái)有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺(tái)。該平臺(tái)可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  NCP4682  

PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  
共1193條 50/80 |‹ « 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 » ›|

cmos-ldo介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos-ldo的理解，并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473