- 如何為便攜產(chǎn)品選擇合適的LDO- 接地電流或靜態(tài)電流 （IGND 或 IQ）、電源波紋抑止比 （PSRR）、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調(diào)節(jié)器（LDO） 時，需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預期輸出電壓、負載電流范圍以及其封裝的功耗能力。
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LDO 便攜電子
- LDO在IoT中省電的兩種方法- 隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。
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LP2951 LDO IOT
- 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運算放大器來說是一項常見的簡單應用。
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CMOS CR2032 德州儀器
- TI工程師教你設(shè)計更小的電源-假設(shè)您幾乎已經(jīng)完成了最新、最重大的應用設(shè)計。所有漏洞都已清除，而且非常好用。差不多該進入主要階段了，但還要解決最有一件事：電源。
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TI LDO TLV71333P
- 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復雜。
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CMOS 電源放大器 THD
- 硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當今的硅光子芯片必須采用復雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
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硅光子 半導體芯片 CMOS 芯片設(shè)計
- 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC
- 如何解決電源管理芯片效率不高的問題？-DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應用廣泛，為了統(tǒng)一物料，工程師往往會用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片，不管負載大小均用一個型號一統(tǒng)江湖。由此可能在小負載電流時，效率不盡如人意，該怎么解決？
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電源管理芯片 DC-DC LDO
- cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
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cmos 憶阻器 傳感器
- 資深工程師教你如何設(shè)計一個合適的系統(tǒng)電源-分析電源需求不僅僅是關(guān)心輸入電壓，輸出電壓和電流，還要仔細考慮總的功耗，電源實現(xiàn)的效率，電源部分對負載變化的瞬態(tài)響應能力，關(guān)鍵器件對電源波動的容忍范圍以及相應的允許的電源紋波，還有散熱問題等。
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電源 LDO
- ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
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ccd cmos 圖像傳感器
- 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機、便攜式錄放機、數(shù)碼相機，掃描儀等的核心部件。目前，這個快速增長的市場現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
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圖像傳感器 CCD CMOS
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