cmos finfet 文章最新資訊

基于CMOS圖像傳感器的指紋識(shí)別設(shè)計(jì)

　　引　言　　CMOS圖像傳感器是近年來(lái)得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿(mǎn)足了對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時(shí)作為一種PC機(jī)與外圍設(shè)備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點(diǎn)：連接簡(jiǎn)便，可熱插拔，無(wú)需定位及運(yùn)行安裝
關(guān)鍵字： CMOS USB CPLD

十個(gè)電荷泵的設(shè)計(jì)方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：電荷泵 CMOS DC-DC 圖像傳感器鎖相環(huán)芯片

一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設(shè)計(jì)

　　設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。　　目前，全球無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進(jìn)程中，無(wú)線(xiàn)通信“行業(yè)專(zhuān)網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時(shí)期。我國(guó)無(wú)線(xiàn)通信行業(yè)專(zhuān)網(wǎng)所用頻點(diǎn)和帶寬種類(lèi)繁多，其頻率主要集中在0.1-1.2GHz。各專(zhuān)網(wǎng)使用不同的頻點(diǎn)、射頻帶寬和信號(hào)帶寬，標(biāo)
關(guān)鍵字： CMOS 射頻無(wú)線(xiàn)收發(fā)芯片 RFID

東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級(jí)精確度

　　東京—東芝公司今天宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出一款采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制造的原型參考時(shí)鐘振蕩器，該振蕩器達(dá)到了全球最高等級(jí)精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器，將為電子設(shè)備的微型化提供支持。　　東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項(xiàng)振蕩器技術(shù)。　　近年來(lái)，對(duì)于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來(lái)源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴(kuò)及振蕩器，激發(fā)了對(duì)超小型振蕩器的興趣。
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 振蕩器

應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

　　應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專(zhuān)為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開(kāi)發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。　　VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線(xiàn)形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性
關(guān)鍵字： VIISta 900 3D 2x納米 FinFET

整體16/14納米FinFET設(shè)備訂單恐延一季

　　Needham & Co.半導(dǎo)體設(shè)備分析師Edwin Mok 27日針對(duì)晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認(rèn)為相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)訂單卻將遞延一季。　　barron`s.com報(bào)導(dǎo)，Mok發(fā)表研究報(bào)告指出，據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設(shè)備，這似乎支持了近來(lái)傳出的高通(Qualco
關(guān)鍵字： FinFET 14納米

英飛凌推出最小的天線(xiàn)調(diào)諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)

　　英飛凌科技股份公司針對(duì)射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線(xiàn)調(diào)諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)。新款天線(xiàn)調(diào)諧開(kāi)關(guān)(Aperture tuning)對(duì)提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶(hù)體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線(xiàn)特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開(kāi)關(guān)采用市面上最小封裝，這對(duì)新一代智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長(zhǎng)此類(lèi)設(shè)備的待機(jī)和工作時(shí)間?！　〔捎糜w凌射頻CMOS開(kāi)關(guān)技術(shù)的天線(xiàn)調(diào)諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)有利于開(kāi)
關(guān)鍵字：英飛凌 BGSA14GN10 CMOS

英飛凌面向智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)最快增速

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計(jì)，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話(huà)和平板電腦集成越來(lái)越多的LTE頻段，射頻開(kāi)關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長(zhǎng)?！　‰S著4G/LTE手機(jī)可支持的工作頻段和運(yùn)行模式越來(lái)越多，其射頻前端部件設(shè)計(jì)日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線(xiàn)開(kāi)關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線(xiàn)的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
關(guān)鍵字：英飛凌 LTE CMOS

RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

　　專(zhuān)注于為無(wú)線(xiàn)連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長(zhǎng)的無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場(chǎng)上
關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS

應(yīng)用材料公司突破導(dǎo)線(xiàn)技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸

　　應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學(xué)氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨(dú)特的鈷金屬后，一舉突破導(dǎo)線(xiàn)技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸，讓“摩爾定律”持續(xù)向下進(jìn)展到20納米。此外，應(yīng)材的EnduraVentura實(shí)體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶(hù)降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。　　在強(qiáng)大技術(shù)創(chuàng)新突破的支持下，應(yīng)用材料公司在營(yíng)運(yùn)方面也頗有斬獲。應(yīng)用材料公司臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，拜半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應(yīng)用材料公司不
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料 FinFET

德國(guó)開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

　　在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì)超過(guò)200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國(guó)弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻，但是很難實(shí)現(xiàn)。此外，市場(chǎng)上也存在專(zhuān)門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達(dá)1微米)。　　IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
關(guān)鍵字：微芯片 CMOS

一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開(kāi)。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS

研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動(dòng)設(shè)備性能

當(dāng)平面工藝已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足對(duì)于性能提升的需求時(shí)，3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
關(guān)鍵字： CMOS 納米

卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆

　　作為專(zhuān)注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?！? 　　卓勝微電子的GPS
關(guān)鍵字：卓勝微電子 CMOS

卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆

　　2014年5月5日，作為專(zhuān)注在WiFi，藍(lán)牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的G
關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS