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北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報道
- 2017年5月25日,英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷,7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明,在過去15年中,材料科學(尤其是納米材料等)領域已成為各國政策制定者的關注重點,大力投資材料科學也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來,中國始終是在材料科學領域發(fā)表論文最多的國家,其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進人才。然而,材料科學家認為,需要將更多的資源投入到基礎研究的轉(zhuǎn)化中;應用科學家表示,如果沒有足夠的扶持,中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
- 關鍵字: 集成電路 CMOS
FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)
- 隨著高級工藝的演進,電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時,他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制,另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜,因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內(nèi)容吧。 FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 隨著高級工藝的演進,電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時,他們同樣面臨許多新的設
- 關鍵字: FinFET
英特爾推全新低功耗FinFET技術 22納米制程戰(zhàn)場煙硝起
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL,相關開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位,市場上認為22 FFL的推出,顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 據(jù)EE Times Asia報導,英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術,能打造出高效能及低功耗的電晶體,漏電流(le
- 關鍵字: 英特爾 FinFET
傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導體技術戰(zhàn)一觸即發(fā)
- 繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后,大陸半導體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道,傳大陸行業(yè)領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下,梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣,梁孟松同樣來自臺積電技術研發(fā)高層,他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 之前蔣尚義加入中芯時,已經(jīng)是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了,畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看,他都堪稱元老。在臺積電,蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發(fā),張忠謀曾感激他為“臺積電16年
- 關鍵字: 中芯國際 FinFET
后CMOS時代 Intel稱有12種設想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點開始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導體工藝升級上的步伐就慢下來了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結,對此Intel也不是沒有準備,最近他們公布了后CMOS時代的一些技術思路,Intel的目標是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
- 關鍵字: Intel CMOS
FinFET之父胡正明談人才培育
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮,2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明,他曾回臺擔任臺積電首任技術長,也是工研院院士,他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限,堪稱半導體工業(yè)40多年來的最大變革。 胡正明目前仍深耕學術教育,為產(chǎn)學研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中,胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇,兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
- 關鍵字: FinFET
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