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意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？
- 現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預計在動力、續(xù)航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
- 關鍵字： SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導體 ACEPACK DRIVE
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數工程挑戰(zhàn)一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
- 關鍵字： Infineon OBC SiC
通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
- 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
安森美：聚焦SiC產能擴建，推出最新MOSFET產品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統的I
- 關鍵字： 安森美 SiC MOSFET
SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”
- 當前，全球主要國家和地區(qū)都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中，軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)哟罅炕A設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實現時間將較為接近。在中國，這個時間節(jié)點是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領域，一方面是重點企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實現“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點企業(yè)的產業(yè)鏈上下游全面實現能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
- 關鍵字： Mouser SiC
碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
- 關鍵字： 碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動 萬物電氣化
浪涌保護不再難 適于ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的5種方案請查收
- 引言在工業(yè)、汽車和儀器儀表應用中，因操作不當、存在電氣噪聲的操作環(huán)境，甚至雷擊造成的大瞬態(tài)電壓可能會形成巨大壓力，導致通信端口和基礎電子設備受損。對此，ADI推出了信號和電源隔離式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器，能夠承受其中許多瞬態(tài)電壓，并保護敏感的電子設備。根據IEC標準和瞬態(tài)電壓大小，瞬態(tài)電壓可分為靜電放電(ESD)、電快速瞬變脈沖群(EFT)和浪涌。通過ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的片內集成保護，可實現4級IEC 61000-4-2 ESD保護、IE
- 關鍵字： 浪涌保護 CAN FD收發(fā)器
意法半導體CAN FD Light多像素驅動器助力下一代汽車照明設計
- 意法半導體的L99LDLH32線性穩(wěn)流器為使用輕量級?CAN FD Light 協議控制動態(tài)汽車照明提供了一個簡便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發(fā)射明亮、均勻和高對比度的光線，新驅動器與OLED完美匹配，讓設計師能夠創(chuàng)造復雜的圖案和光效，增強汽車的安全性和外觀設計視覺效果。L99LDLH32有32個可在1mA至15mA范圍內獨立編程的穩(wěn)流電源，可以單獨驅動車內外燈具的每個像素，還提供8 位分辨率的整體調光功能。當用車輛電池電壓供電時，驅動器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發(fā)射極正向
- 關鍵字： 意法半導體 CAN FD Light 多像素驅動器 汽車照明設計
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
- 關鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率
- 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統熱性能，進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數量增加，以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
- 關鍵字： TI 功能安全 柵極驅動器 SiC 逆變器
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