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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
  • 關鍵字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  IGBT  美光  

GaN 出擊

  • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
  • 關鍵字： GaN  SiC  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大

  • EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
  • 關鍵字： Qorvo  OBC  SiC  

英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展

  • 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負責人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務的發(fā)展提供
  • 關鍵字： 英飛凌  數(shù)字化  低碳化  SiC  

Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

  • 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
  • 關鍵字： Qorvo  750V  SiC FETs  

SiC融資火熱！今年以來超20家獲融資，金額超23億

  • 第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產(chǎn)值達22.8億美元，年成長41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業(yè)。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
  • 關鍵字： SiC  融資  

是時候從Si切換到SiC了嗎？

  • 在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統(tǒng)設計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動力一直是降低損耗
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  

滿足 CAN 收發(fā)器的抗擾度要求

  • 電動機、開關轉換器、大電流驅動級和振蕩器屬于噪聲注入器類型，可以在電源線上引入紋波。導航和互聯(lián)網(wǎng)子系統(tǒng)等通信模塊以及外部干擾也會增加噪聲，這些噪聲可以傳導或耦合到敏感的電子設備上，并有可能破壞它們的行為。在此背景下，CAN收發(fā)器仍有望成功交換數(shù)據(jù)；為此，它們必須具有很強的抗噪能力。三十多年來，控制器區(qū)域網(wǎng)絡 (CAN) 收發(fā)器作為通信主干一直存在于汽車中。在此期間，電子芯片的數(shù)量以及收發(fā)器的整體復雜性穩(wěn)步增加。因此，多個電子子系統(tǒng)必須近距離共存，并在惡劣條件下完美運行。這對組件可以產(chǎn)生的噪聲量（發(fā)射）以及
  • 關鍵字： CAN  

如何使用正確的示波器簡化 CAN 總線網(wǎng)絡測試

  • 車載網(wǎng)絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發(fā)動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執(zhí)行器、指示器、顯示器之間實現(xiàn)相互通信?？刂破鲄^(qū)域網(wǎng)絡 (CAN) 總線便是經(jīng)典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年，并且仍在繼續(xù)發(fā)展。車載網(wǎng)絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發(fā)動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執(zhí)行器、指示器、顯示器之間實現(xiàn)相互通信?？刂破鲄^(qū)域網(wǎng)絡 (CAN) 總線便是經(jīng)典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年，并且仍在繼續(xù)發(fā)展。正如 ISO11898 標準中描述的那
  • 關鍵字： CAN  

碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā)

  • 據(jù)報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
  • 關鍵字： SiC MOSFET  

如何根據(jù)額定電壓為RS-232、RS-485和CAN選擇TVS二極管

  • 在許多工業(yè)和汽車應用中，保護接口收發(fā)器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。TVS 二極管的電氣特性由幾個工藝因素決定。這些參數(shù)與 TVS 電壓、電流和額定功率相關，具有多種多樣的數(shù)值，以適應各種應用。但通過查看元件數(shù)據(jù)表，就會發(fā)現(xiàn)選型并不簡單。在本文中，我將討論電壓參數(shù)并展示哪種 TVS 二極管適用于 RS-232、RS-485 和控制器局域網(wǎng) (CAN) 應用。當然，峰值脈沖功率耗散和峰值脈沖電流也
  • 關鍵字： TI  CAN  二極管  

SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成

  • 根據(jù)市調統(tǒng)計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產(chǎn)值達22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
  • 關鍵字： SiC  

市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
  • 關鍵字： 第三代半導體  收購  SiC  GaN  
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