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n2 2nm 文章 最新資訊

三星確認Exynos 2600為首款2nm旗艦智能手機芯片

  • 三星的下一款旗艦智能手機芯片組是 Exynos 2600，它可能會用于 Galaxy S26 系列。據(jù)傳該芯片是使用三星代工廠的 2nm 制造工藝制造的?？紤]到三星可能會在 2026 年初推出下一代 Galaxy S 系列之前宣布這一消息，并且其他芯片組制造商在其下一代旗艦芯片中都堅持使用臺積電的 3nm 工藝，Exynos 2600 可能是第一款投放市場的 2nm 芯片。好吧，這不再是猜測了。三星宣布 Exynos 2600 將成為首款采用三星代工 2nm GAA 制造工藝
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2nm技術(shù)將推動臺積電成為價值3萬億美元的公司

  • 隨著英偉達成為全球第一支站上4萬億美元市值的企業(yè)，人們紛紛預估哪家企業(yè)會乘借AI的東風成為第二支邁上4萬億臺階，雖然目前還沒有看到目標，但是英偉達成功最大的合作伙伴卻可能成為下一家站上3萬億美元市值的公司。臺積電（紐約證券交易所代碼：TSM）目前估值約為 1.25 萬億美元，是全球第九大公司。通常，投資者不會期望這些大公司能夠產(chǎn)生出色的增長，因為企業(yè)規(guī)模越大，增長就越困難。然而，臺積電提出了巨大的增長預測，以及一項可能推動股價大幅上漲的新技術(shù)。從今天的 1.25 萬億美元估值上升到 3 萬億美元估值需要
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日本啟動2nm制程晶圓測試生產(chǎn)

  • 報道稱，日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus的IIM-1廠區(qū)已經(jīng)展開對采用2nm環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)的測試晶圓進行原型制作，并計劃在2027年量產(chǎn)。為了支持早期客戶，Rapidus正在準備于2026年第一季發(fā)表其制程開發(fā)套件（PDK）的第一個版本。根據(jù)最近披露的數(shù)據(jù)，2023年9月，Rapidus在北海道千歲地區(qū)開始建設(shè)其首座晶圓廠IIM-1；2024年4月，晶圓廠的框架、潔凈室和基礎(chǔ)設(shè)備就已完工；2024年12月，引進了ASML的EUV光刻機設(shè)備；2025年4月，啟動了中試線，隨后7月成功完成了第
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英特爾積極行動：據(jù)報道，諾瓦湖在臺積電的 2 納米工藝上量產(chǎn)，18A 良率提升速度加快

  • 盡管面臨大規(guī)模裁員，英特爾在其下一代旗艦處理器和 18A 良率方面顯示出積極的進展。據(jù) TechPowerUp 和 SemiAccurate 報道，英特爾的“諾瓦湖-S”客戶端 CPU 據(jù)報道已在臺灣臺積電的 2 納米工廠完成量產(chǎn)報道顯示，英特爾幾周前在臺積電的 2 納米工藝上完成了一個計算單元的量產(chǎn)，表明諾瓦湖-S 將可能結(jié)合英特爾 18A 和臺積電的 N2 技術(shù)用于其計算單元。據(jù)報道，這種做法為英特爾提供了一種備用方案，以防 18A 面臨延遲或需求超過其內(nèi)部產(chǎn)能
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晶圓代工復蘇勢頭強勁 三星接近與高通2nm合作

  • 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個主要客戶。這一發(fā)展可能標志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務邁出了重要一步，該業(yè)務一直面臨持續(xù)的良率問題，并失去了臺積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對多款芯片進行量產(chǎn)測試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體。基本版本預計將由臺積電使用其 3nm 工藝
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高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列

  • 據(jù)外媒Business Post報道，三星計劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺積電獨家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計劃為新一代驍龍旗艦手機芯片開發(fā)兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程，供
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三星接近與高通達成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務復蘇勢頭增強

  • 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發(fā)展可能標志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務復蘇的重要一步，該業(yè)務一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺積電的情況。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對數(shù)款芯片進行大規(guī)模量產(chǎn)測試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”，將提供兩種變體?；A(chǔ)版本預計將由臺積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm

  • 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
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三星推動2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應晶體管

  • 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節(jié)點相當，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。同時，臺積電繼續(xù)擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出，這些節(jié)點預計將仍然是主要客戶的首選。
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2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

  • 在持續(xù)進行的半導體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
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下半年，2nm競爭升溫

  • 三強蓄勢待發(fā)。
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UCIe IP 子系統(tǒng)支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)速率

  • Alphawave Semi 公司宣布其 UCIe IP 子系統(tǒng)在 TSMC N2 工藝上成功流片，支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率。該 IP 與 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)先進封裝技術(shù)完全集成，為下一代芯片 let 架構(gòu)解鎖了突破性的帶寬密度和可擴展性。這一里程碑，基于 Alphawave Semi 最近發(fā)布的 AI 平臺，展示了其支持未來異構(gòu) SoC 和擴展超大規(guī)模 AI 和 HPC 工作負載的能力。通過這次流片，Alphawave Semi 成
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臺積電2nm良率曝光

  • 在技術(shù)驅(qū)動型產(chǎn)業(yè)中，半導體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺積電（TSMC）正式啟動2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報價高達3萬美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風險試產(chǎn)以來，良率從去年底的60%快速攀升至當前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點的初期投產(chǎn)經(jīng)驗看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點200萬片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗，將2nm工藝開發(fā)周期壓縮至18個月，良率僅用9個月便從30%提升至60%，
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臺積電 2 納米晶圓價格達到 3 萬美元，據(jù)報道 SRAM 的良率達到了 90%

  • 臺積電在過去幾年中穩(wěn)步提高其最先進的半導體工藝節(jié)點的價格——如此之高，以至于一項分析表明， 晶體管成本在十多年里沒有下降。進一步的價格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開發(fā)成本推動，正在強化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念?！渡虡I(yè)時報》報道，臺積電即將推出的 N2 2 納米半導體每片晶圓將售價 3 萬美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節(jié)點預計將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價格上漲辯護，這些成本最高可達 7.25 億美元。根
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傳臺積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用

  • 據(jù)《商業(yè)時報》報道，隨著臺積電準備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報道，2nm 晶圓價格已達到每單位 30,000 美元，未來節(jié)點的價格可能會飆升至 45,000 美元。報告補充說，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點。商業(yè)時報援引供應鏈消息人士的話說，開發(fā)單個 2nm 芯片——從項目啟動到最終輸出——成本高達 7.25 億美元。盡管如此，頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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