n2 2nm 文章 進(jìn)入n2 2nm技術(shù)社區(qū)
臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領(lǐng)先三星等對手，明年面還會量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺積電的說法，2nm工藝節(jié)點上，他們也會放棄FinFE
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臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁
- 近期臺積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破?！ ∧壳笆謾C開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點工藝制造，預(yù)計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時間問題。 據(jù)Wccftech報道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺
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臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年，天字一號代工廠臺積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺積電預(yù)計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺積
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臺積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題
- 一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道，臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計。該設(shè)計被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設(shè)計的補充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計用于其晶體管而不
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臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)?？剂砍杀尽⒃O(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光（EUV）微顯
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臺積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國外媒體報道，為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后，臺積電下一步工藝研發(fā)的重點就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝，其中3nm工藝在最近兩個季度的財報分析師電話會議上均有提及，臺積電CEO魏哲家透露正在按計劃推進(jìn)，計劃2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝，也有了消息。外媒的報道顯示，在昨日的臺積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一
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臺積電2nm工廠計劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息，據(jù)國外媒體報道，5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺積電下一步的工藝研發(fā)重點就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝，為盡快量產(chǎn)，相關(guān)的工廠也需要提前謀劃，同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，2nm工藝也還在研發(fā)階段，但臺積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息，源自臺積電負(fù)責(zé)營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報道中表示，秦永沛透露臺積電計劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺積電總部所在地，先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預(yù)計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報中,臺積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時今年還會加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報中,臺積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時今年還會加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國CPU芯片將實現(xiàn)彎道超車 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日，中科院對外宣布，中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過100億個晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術(shù)上的確實現(xiàn)了巨大突破，也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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臺積電、三星爭霸2nm工藝：能做出來,就怕沒人用得起
- 根據(jù)臺積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會提升到7-8萬片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺積電的3nm工藝工藝今年也會啟動建設(shè)，三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。根據(jù)三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。為了確保在5nm之后保持優(yōu)勢，三星、臺積電都會投入巨額資金，去年，三星宣布了一項高達(dá)133萬億韓元（約合1118.5億美元）的投資計劃，目標(biāo)是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級
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