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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統(tǒng)  

英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展

  • 隨著對 GaN 半導體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率
  • 關鍵字： 英飛凌  300毫米  GaN  制造路線圖  

GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的
  • 關鍵字： GaN  代工模型  Innoscience  臺積電  

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
  • 關鍵字： 瑞薩電子  AI數(shù)據(jù)中心  工業(yè)  電源系統(tǒng)  GaN FET  

臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結束其 GaN 晶圓代工服務，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關鍵驅動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
  • 關鍵字： 臺積電  英飛凌  GaN  300毫米  晶圓樣品  

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數(shù)提高了 50%，而輸出品質因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
  • 關鍵字： 650V  GaN  器件  高功率應用  SiC  

臺積電無預警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單

  • 國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務，擬向力積電尋求產能支持。 對此，臺積電回應表示，經過完整評估后，決定在未來兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務目標。業(yè)界認為，臺積電此舉凸顯中國
  • 關鍵字： 臺積電  納微半導體  GaN  

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
  • 關鍵字： 瑞薩  GaN FET  SuperGaN  

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統(tǒng)而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
  • 關鍵字： GaN FET  衛(wèi)星電源  

Wise計劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

  • 法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計劃推出一種帶有氮化鎵 （GaN） 晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設計。與此同時，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC） 的數(shù)字控制器。零電壓開關 （ZVS） 開關算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達 2MHz 的開關，適用于更小的設計，效率高達 98%?！皩τ诠緛碚f，將這款數(shù)字控制器推向市場是一個重要
  • 關鍵字： Wise  GaN  數(shù)字控制器  

英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機提供高性能電機控制解決方案

  • 來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導體功率器件，用于其下一代無人機（UAV）電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調速器（ESC）實現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設計中實現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅動器IC結合的英飛凌MOTIX? IMD7
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  Reflex Drive  無人機  電機控制  

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

  • 其他柵極驅動器轉換器考慮因素柵極驅動器 DC-DC 轉換器還有其他獨特的問題。其中包括：1） 調節(jié)：當器件不切換時，DC-DC 轉換器上的負載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉換器始終要求最小負載;否則，它們的輸出電壓會急劇增加，可能達到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個高電壓存儲在大容量電容器上，因此當器件開始切換時，它可能會出現(xiàn)柵極過壓，直到轉換器電平下降到正常負載下。因此，應使用具有箝位輸出電壓或極低最小負載要求的 DC-DC 轉換器。2） 啟動和關斷：重要的是，在驅動電路電壓軌達到指定值之前，I
  • 關鍵字： 柵極驅動器  功率器件  

采用3D芯片設計的更快、更節(jié)能的電子設備

  • 麻省理工學院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數(shù)量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
  • 關鍵字： 3D芯片  電子設備  GaN  

據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇

  • 據(jù)路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據(jù)破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  功率器件  

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

  • 有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數(shù)其他應用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 是高效電源系統(tǒng)設計的關鍵。但是，為了實現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅動器。顧名思義，該元件的作用是驅動功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導通模式或將其拉出導通模式。這樣做要求驅動器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負載（柵極）存在內部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
  • 關鍵字： 柵極驅動器  功率器件  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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