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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵(gan)功率器件

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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功率器件的散熱計(jì)算及散熱器選擇

  • 目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝,這主要是可方便地 ...
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功率器件芯片商迎來混合動(dòng)力汽車商機(jī)

  •   Strategy Analytics的汽車電子部門稱,半導(dǎo)體市場供應(yīng)混合動(dòng)力系統(tǒng)將從今年的3.84億美元增長到2015年的13億美元,其中主要是功率器件以及模擬微控制器和傳感器。   市場研究人員認(rèn)為,完全和半混合動(dòng)力系統(tǒng)在2007年到2012年的年增長率達(dá)到38%,其中更符合成本效益的輕度混合解決方案的增長率會更高,約達(dá)79%。盡管目前的市場領(lǐng)軍人豐田會在開始時(shí)遙遙領(lǐng)先,但本田和歐洲設(shè)備制造商們的后勁更足。   不過,該機(jī)構(gòu)的汽車電子分析師Kevin Mak認(rèn)為,對于消費(fèi)者而言,更高的成
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比,該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

  • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
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中國功率半導(dǎo)體器件市場正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折

  •   受到市場需求減緩以及庫存調(diào)整等問題的影響,2007年,中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降,市場銷售額為762.3億元,比2006年增長了13.3%。                   在中國功率器件市場中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場的80%
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Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
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研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

  •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長的。???????   “對實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說,在200mm硅晶圓上生長出
  • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

  •   要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng),之后被3
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中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

  •   由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破,我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。      該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備,目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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藍(lán)色激光的應(yīng)用

功率器件增速放緩 歐美廠家領(lǐng)銜市場

  •   中國功率器件市場近年來一直保持快速增長,近五年來,市場復(fù)合增長率達(dá)27.8%,是半導(dǎo)體產(chǎn)品中市場發(fā)展相對較快的產(chǎn)品。但未來整機(jī)制造業(yè)向中國轉(zhuǎn)移趨勢減緩,整機(jī)市場在經(jīng)歷了多年的高速增長之后將會逐漸飽和,未來中國市場功率器件增速減緩。從市場格局來看,電源管理芯片無論在市場還是技術(shù)方面,歐美廠商都占據(jù)絕對優(yōu)勢,但在中、低端領(lǐng)域,中國以及其他地區(qū)一些新進(jìn)入廠家已經(jīng)具備一定的競爭力。   電源管理芯片今年有望增長兩成   隨著節(jié)能產(chǎn)品需求的增多,電源管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多地應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中
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飛兆半導(dǎo)體:功率器件提高能效需求日益重要

  •   超便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換趨勢讓開關(guān)型調(diào)節(jié)器的使用日益普遍,隨著對更高效率的需求變得越來越重要,這種技術(shù)被用來取代線性調(diào)節(jié)器。飛兆半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)重點(diǎn)之一是開發(fā)小外形尺寸、更高效的步降和步升開關(guān)型DC/DC轉(zhuǎn)換器。為了讓總體解決方案的外形尺寸盡可能地小,我們把用于手機(jī)、媒體播放器和手持式游戲機(jī)等超便攜式應(yīng)用設(shè)備的步降DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率提高到了4MHz以上。   此外,由于對更高功率的需求大于電池容量的增加速度,DC/DC轉(zhuǎn)換器的增長正在超過線性調(diào)節(jié)器。這就需要提高電池能量的轉(zhuǎn)換效率,以滿足
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

  • 本文介紹了功率器件的熱性能參數(shù),并根據(jù)實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn),闡述了功率器件的熱設(shè)計(jì)方法和散熱器的合理選擇。
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ADI精密放大器延長便攜式應(yīng)用電池壽命

  • 美國模擬器件公司今日在美國馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布了一款精密運(yùn)算放大器,它滿足了便攜式電池供電應(yīng)用中對功耗、電壓、精度和價(jià)位的要求。AD8500的功耗比其它解決方案低30%,并且可在1.8 V低電源電壓工作,無需犧牲其精密性能。AD8500的低功耗、低電壓和高精度特性的完美結(jié)合延長了便攜式應(yīng)用中電池的壽命,這類應(yīng)用要求保證精度精密檢測,例如煙火探測器、血糖監(jiān)測儀和遠(yuǎn)程傳感器。此外,該運(yùn)算放大器采用超小標(biāo)準(zhǔn)表面貼封裝以滿足電池供電應(yīng)用中對尺寸限制的要求以及大
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600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

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