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三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

  • 據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設計實現(xiàn)

  • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù)，會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù)，無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖，并進行了驗證。
  • 關鍵字： 202308  NAND Flash  FPGA  分區(qū)  起始地址  

因業(yè)務低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業(yè)內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產，該生產區(qū)主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
  • 關鍵字： 三星電子  V-NAND  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

基于NAND門的行李安全警報

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當有人試圖提起你的行李時，它就會發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
  • 關鍵字： NAND  邏輯門  

被壟斷的NAND閃存技術

  • 各家 3D NAND 技術大比拼。
  • 關鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉變

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
  • 關鍵字： 3D 打印機  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產品價格有望迎來拐點。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 關鍵字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調查，5月起美、韓系廠商大幅減產后，已見到部分供應商開始調高wafer報價，對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
  • 關鍵字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

  • 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產及營銷的方案等，未來雙方將進行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導權，關于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
  • 關鍵字： 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，內存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
  • 關鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應商持續(xù)透過降價求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價季減15%，合計NAND Flash產業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  
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3d-nand介紹

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