首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當(dāng)搭配高端主控使用時(shí),它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
  • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  三星  

存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

  • NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品,從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,如傳感器和控制器。 在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中,這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施,包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 因此,在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí),必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”,NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性,涵蓋了最常見的硬件和軟件技術(shù),有助于告知讀
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)系統(tǒng)  數(shù)字安全  海派世通  NAND  

SK海力士:未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

  • 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注,對(duì)此,SK海力士于10月26日就中國工廠運(yùn)營作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會(huì)上,針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運(yùn)營受困的各種假想情境,作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中,“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù),SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外,針對(duì)美國對(duì)芯片設(shè)備出口的管制,SK海力士表示,
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND  

臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

  • 臺(tái)積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺(tái)積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
  • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  三星  ARM  美光  OIP 3D Fabric  

IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長期戰(zhàn)略協(xié)議

  • -        長期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效-        為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)-        進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc(AIM 股票代碼:IQE,以下簡稱“IQE”或“集團(tuán)”),全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
  • 關(guān)鍵字: IQE  VCSEL   3D 傳感  

西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計(jì)

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測試性設(shè)計(jì)(DFT)。隨著市場對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu),以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個(gè)晶粒,使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
  • 關(guān)鍵字: 西門子  2.5D  3D  可測試性設(shè)計(jì)   

高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一

  •   10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽,吸引了來自34個(gè)國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?! ∑渲校瑏碜詮V州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌,成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌,實(shí)現(xiàn)我國在這兩個(gè)項(xiàng)目上
  • 關(guān)鍵字: 世界技能大賽  3D  云計(jì)算  

SK海力士與美國完成協(xié)商,確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示,公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商,確保在接下來一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此,SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng),進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示:“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作,在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運(yùn)營盡最大的努力?!泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱,將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND  

業(yè)界首發(fā),美光232層NAND,開啟存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新浪潮

  • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品,這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。隨著各國對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視,世界對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)更新,以及移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗(yàn)。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu),高效優(yōu)化存儲(chǔ)顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu),通過增加NAN
  • 關(guān)鍵字: 美光  232層  NAND  存儲(chǔ)技術(shù)  

AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

  • 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢(shì),還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄,降低不必要的時(shí)間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
  • 關(guān)鍵字: 自動(dòng)光學(xué)檢測  AOI  AI  3D  檢測鐵三角  

西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù),提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù),客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
  • 關(guān)鍵字: 西門子  聯(lián)華電子  3D IC  混合鍵合流程  

集邦:第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15~20%

  • 根據(jù)集邦科技研究顯示,目前NAND Flash正處于供過于求,下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量,賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單,使第三季NAND晶圓(wafer)價(jià)格跌幅達(dá)30~35%,但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱,原廠庫存因此急速上升,預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15~20%。集邦表示,因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌,多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損,意即部分供貨商在運(yùn)營陷入虧損的壓力下,對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
  • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13~18%

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺,第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購,導(dǎo)致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變,市場上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形,導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13%~18%。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面,由于筆電需求疲弱,OEM廠仍將著重去化DRAM庫存,而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下,未有實(shí)際減產(chǎn)情形,故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高,供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關(guān)鍵字: 集邦  DRAM  NAND  

拆機(jī)證實(shí),國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲(chǔ)國產(chǎn) NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息,9 月 8 日,蘋果召開新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī),起價(jià) 5999 元。在此之前,韓媒消息稱中國廠商長江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈,將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認(rèn)正考慮從長江存儲(chǔ)采購 NAND 芯片,但僅會(huì)用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前,蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲(chǔ)芯片廠商。因此,市場觀察人士認(rèn)為,蘋果與長江存儲(chǔ)合作,將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
  • 關(guān)鍵字: iPhone 14  NAND  長江存儲(chǔ)  

NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

  • 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報(bào)告顯示,在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中,三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,排名第一。SK海力士因?yàn)閷?duì)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成,2022年二季度銷售額位36.15億美元,環(huán)比增長12.1%,超越了鎧俠,成為了全球第二大NAND閃存廠商,兩家韓國廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
  • 關(guān)鍵字: NAND  內(nèi)存  
共1692條 11/113 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

3d-nand介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473