3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽(yù)的Foveros 3D封裝技術(shù)

這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨(dú)特的3D堆疊與一種混合計(jì)算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來(lái)源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計(jì)的芯片就像一個(gè)設(shè)計(jì)成1毫米厚的夾心蛋
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手機(jī)廠商大行3D 視覺(jué)技術(shù)，屏下指紋識(shí)別解鎖或成“覆面系”福音？

自iPhoneX在智能手機(jī)中首次搭載3DSensing以來(lái),其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的13億美元增長(zhǎng)至2022年的90億美元,CAGR達(dá)到37.3%,2022年3D成像設(shè)備有望超過(guò)10億個(gè)。誠(chéng)然,消費(fèi)者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強(qiáng)個(gè)性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗(yàn)效率的表現(xiàn)。圖片來(lái)源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢(shì)

西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開(kāi)發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來(lái)鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇。基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品

行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)數(shù)碼成像解決方案的開(kāi)發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過(guò)正式的商業(yè)交流及技術(shù)評(píng)估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開(kāi)合作。此合作項(xiàng)目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進(jìn)技術(shù)及市場(chǎng)地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導(dǎo)入手機(jī)市場(chǎng)。雙方亦期望能藉此合作基礎(chǔ)，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)
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新東芝存儲(chǔ)不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價(jià)比

在近日召開(kāi)的國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，東芝存儲(chǔ)發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時(shí)它表示對(duì)3D XPoint之類的堆疊類存儲(chǔ)方案的前景并不看好。至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實(shí)對(duì)于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗(yàn)，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強(qiáng)的SLC在4K隨機(jī)性能、
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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藉3D XPoint技術(shù)，美光宣布推出全球速度最快SSD

存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）近日宣布，正式推出全球最快的SSD–Micron X100 SSD，每秒250萬(wàn)次讀寫速度，以及超過(guò)9GB/s的頻寬都是目前全業(yè)界最高規(guī)格，預(yù)計(jì)本季提供樣品予客戶。
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Blickfeld推出新款遠(yuǎn)程激光雷達(dá)

據(jù)外媒報(bào)道，固態(tài)激光雷達(dá)技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商Blickfeld推出了其產(chǎn)品陣容內(nèi)的最新成員 - Cube Range。該款基于MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）的激光雷達(dá)傳感器探測(cè)范圍得到擴(kuò)展，能夠探測(cè)250米以外的物體。與Blickfeld Cube陣容內(nèi)的其他產(chǎn)品一起，Blickfeld現(xiàn)在可以為自動(dòng)駕駛汽車提供完整的激光雷達(dá)套件。
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中國(guó)首款！長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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國(guó)內(nèi)機(jī)器視覺(jué)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)市場(chǎng)

　　迎?九?（《電子產(chǎn)品世界》編輯）　　摘?要：在2019年8月的“北京機(jī)器視覺(jué)助力智能制造創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)”上，機(jī)器視覺(jué)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席潘津介紹了中國(guó)機(jī)器視覺(jué)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟2018年度的企業(yè)調(diào)查報(bào)告，并對(duì)未來(lái)3年進(jìn)行了展望，探討了未來(lái)的技術(shù)趨勢(shì)和熱點(diǎn)?！　￡P(guān)鍵詞：機(jī)器視覺(jué)；3D；檢測(cè)；嵌入式視覺(jué)　　1 回顧2018年機(jī)器視覺(jué)市場(chǎng)　　2018年我國(guó)機(jī)器視覺(jué)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值是84億元，從2016年到2018年，年復(fù)合增長(zhǎng)率是31%。圖1下是2016年到2018年機(jī)器視覺(jué)行業(yè)的凈利潤(rùn)額，可見(jiàn)從2016年到2018年是持續(xù)增長(zhǎng)的，
關(guān)鍵字： 201909 機(jī)器視覺(jué) 3D 檢測(cè) 嵌入式視覺(jué)

打造“3D+AI+工業(yè)機(jī)器人”解決方案，梅卡曼德機(jī)器人獲英特爾投資

梅卡曼德機(jī)器人近日宣布獲得來(lái)自英特爾的投資。據(jù)新芽數(shù)據(jù)庫(kù)，今年4月梅卡曼德曾宣布完成來(lái)自啟明創(chuàng)投的A＋輪融資。
關(guān)鍵字： 3D AI 工業(yè)機(jī)器人英特爾

泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展

上?！?近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲(chǔ)密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。通過(guò)推出用于背面薄膜沉積的設(shè)備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備EOS? GS，泛林集團(tuán)進(jìn)一步拓展了其應(yīng)力管理產(chǎn)品組合。泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應(yīng)力越來(lái)越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過(guò)程中
關(guān)鍵字：泛林集團(tuán) 晶圓應(yīng)力管理解決方案 3D NAND技術(shù)

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
關(guān)鍵字：日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND