3d nand 文章 最新資訊
匯聚中國移動行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會圓滿舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布,來自移動設(shè)備、平板電腦和消費類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行,囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表),共同探討塑造移動互聯(lián)市場的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢和閃存技術(shù)演進。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字: 閃迪 智能手機 NAND
矽穿孔技術(shù)襄助 3D IC提高成本效益
- 應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而,若要讓3DIC成為主流,還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計自動化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命,包括類比與數(shù)位設(shè)計實現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計工具。半導(dǎo)體廠可以運用這個解決方案,滿足高效率設(shè)計應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。 隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加,許多IC團隊都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
- 關(guān)鍵字: 矽穿孔 3D
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
三星、東芝競擴產(chǎn)NAND Flash報價恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。 市調(diào)機構(gòu)IHSiSuppli最新報告預(yù)測,NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB,遠(yuǎn)低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價格崩跌的主因,若以1GB等量單位計算,IHSiSuppl估計,2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
傾角傳感器在人體姿態(tài)圖儀中應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: SCA61T-FAHH1G 3D-MEMS 溫度補償 VTITechnologies公司
安徽芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃 3年內(nèi)產(chǎn)值突破300億
- 記者昨日從省經(jīng)信委舉行的新聞發(fā)布會上獲悉,我拾芯片”產(chǎn)業(yè)有了新規(guī)劃,預(yù)計到2020年,20%的顯示面板、家電、汽車電子產(chǎn)品將有“本土芯”。 變頻空調(diào)運行、液晶顯示、汽車行駛……這些產(chǎn)品的運行都離不開它們的“心”—集成電路。為了進一步扶持集成電路產(chǎn)業(yè),《安徽省人民政府辦公廳關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》近日發(fā)布,從多方面明確了我省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo):到2017年產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破300億元,2
- 關(guān)鍵字: 芯片 3D
應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進離子注入系統(tǒng)

- 應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復(fù)性,優(yōu)化器件性
- 關(guān)鍵字: VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

- 并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中,一個必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線,到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機,嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作,還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求,必須做出得失權(quán)衡,就必須記錄下這一信息,并在設(shè)計過程中進行共享。在汽車、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中,
- 關(guān)鍵字: Spansion NAND FL1-K
3D傳感技術(shù)在光源照明等領(lǐng)域取得多項進展

- 從消費電子市場到工業(yè)應(yīng)用,隨著新應(yīng)用在各領(lǐng)域的不斷出現(xiàn),3D傳感技術(shù)的市場在不斷地發(fā)展壯大?,F(xiàn)今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經(jīng)能支持動作識別的相關(guān)功能,完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過探測生產(chǎn)線的移動和表面質(zhì)量,從而控制產(chǎn)品在生產(chǎn)線中的流向;設(shè)計人員也可以對復(fù)雜的形狀進行掃描并通過3D打印機進行復(fù)制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動物和人類遠(yuǎn)離危險的區(qū)域。 如今的傳感器也已可以探測到極端細(xì)微的動作和特征?,F(xiàn)代的傳感器不僅能夠探測到點頭之類的動作,還可以精確地識別是誰點的頭;除了識別功
- 關(guān)鍵字: 3D 傳感
Ziptronix和EVG集團展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準(zhǔn)機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?! iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
- 關(guān)鍵字: EVG DRAM 3D
Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術(shù),使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能?! arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
- 關(guān)鍵字: Marvell 控制器 NAND
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