3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

傾角傳感器在人體姿態(tài)圖儀中應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： SCA61T-FAHH1G 3D-MEMS 溫度補(bǔ)償 VTITechnologies公司

手機(jī)“全息影像”是怎么實(shí)現(xiàn)的？

　　最近一款“全球首款全息手機(jī)”上市，那么究竟什么是全息功能、在手機(jī)上又是如何實(shí)現(xiàn)的? 　　首先，讓我們先來(lái)了解一下傳統(tǒng)意義上的“全息”概念。通常來(lái)說(shuō)，“全息顯示”泛指全息投影技術(shù)，由英國(guó)匈牙利裔物理學(xué)家丹尼斯·蓋伯在1947年發(fā)明，并在1971年獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。一開(kāi)始，全息投影僅應(yīng)用在電子顯微技術(shù)中，直至1960年激光技術(shù)被發(fā)明出來(lái)之后才取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。　　在這里，我們不討論全息投影復(fù)雜的技術(shù)原理，
關(guān)鍵字：全息影像 3D

安徽芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃 3年內(nèi)產(chǎn)值突破300億

　　記者昨日從省經(jīng)信委舉行的新聞發(fā)布會(huì)上獲悉，我拾芯片”產(chǎn)業(yè)有了新規(guī)劃，預(yù)計(jì)到2020年，20%的顯示面板、家電、汽車電子產(chǎn)品將有“本土芯”。　　變頻空調(diào)運(yùn)行、液晶顯示、汽車行駛……這些產(chǎn)品的運(yùn)行都離不開(kāi)它們的“心”—集成電路。為了進(jìn)一步扶持集成電路產(chǎn)業(yè)，《安徽省人民政府辦公廳關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見(jiàn)》近日發(fā)布，從多方面明確了我省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)：到2017年產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破300億元，2
關(guān)鍵字：芯片 3D

應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

　　應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開(kāi)發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。　　VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性
關(guān)鍵字： VIISta 900 3D 2x納米 FinFET

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來(lái)襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無(wú)法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K

3D傳感技術(shù)在光源照明等領(lǐng)域取得多項(xiàng)進(jìn)展

　　從消費(fèi)電子市場(chǎng)到工業(yè)應(yīng)用，隨著新應(yīng)用在各領(lǐng)域的不斷出現(xiàn)，3D傳感技術(shù)的市場(chǎng)在不斷地發(fā)展壯大?，F(xiàn)今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經(jīng)能支持動(dòng)作識(shí)別的相關(guān)功能，完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過(guò)探測(cè)生產(chǎn)線的移動(dòng)和表面質(zhì)量，從而控制產(chǎn)品在生產(chǎn)線中的流向;設(shè)計(jì)人員也可以對(duì)復(fù)雜的形狀進(jìn)行掃描并通過(guò)3D打印機(jī)進(jìn)行復(fù)制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動(dòng)物和人類遠(yuǎn)離危險(xiǎn)的區(qū)域。　　如今的傳感器也已可以探測(cè)到極端細(xì)微的動(dòng)作和特征?，F(xiàn)代的傳感器不僅能夠探測(cè)到點(diǎn)頭之類的動(dòng)作，還可以精確地識(shí)別是誰(shuí)點(diǎn)的頭;除了識(shí)別功
關(guān)鍵字： 3D 傳感

世界最快工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)在湖南面世

打印速度慢制約了3D打印的普及和應(yīng)用，我國(guó)研發(fā)成功了世界上最快的工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)，打印速度提高了60%。
關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī)

Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度

　　Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！　iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
關(guān)鍵字： EVG DRAM 3D

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開(kāi)創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無(wú)與倫比的性能。　　Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

3D打印機(jī)發(fā)展對(duì)日本制造業(yè)產(chǎn)生威脅嗎

3D打印機(jī)不斷發(fā)展，傳統(tǒng)制造技術(shù)還有用嗎？日本已經(jīng)有所考慮，他們的結(jié)論：使用3D打印機(jī)并不是萬(wàn)能的，而是“必須使用制造商此前積累的隱性技術(shù)，光靠3D打印機(jī)無(wú)法完成最終的產(chǎn)品制造?！蹦J(rèn)為哪？
關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī)

美開(kāi)展太空3D打印研究圖謀在軌閉環(huán)制造

　　為了真正意義上“開(kāi)發(fā)能夠自我維持，在軌道上形成閉環(huán)制造流程，減少發(fā)射攜帶的物品，并增加滿足需求的能力”，美國(guó)國(guó)家宇航局(NASA)決定授予兩份新的3D打印項(xiàng)目合同，每年國(guó)家宇航局為小企業(yè)創(chuàng)新研究計(jì)劃和小企業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移計(jì)劃撥款約1.3億美元，今年，他們?cè)谛∑髽I(yè)創(chuàng)新研究(SBIR)和小企業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移(STTR)計(jì)劃中撥出了12.5萬(wàn)美元，授予太空制造(MadeinSpace)公司開(kāi)展能夠在軌道上回收ABS塑料的系統(tǒng)(R3DO)項(xiàng)目研究，由其開(kāi)發(fā)在太空中回收3D打印塑料耗材重新利用的設(shè)備
關(guān)鍵字： 3D 打印

研究人員以低溫材料制造低成本的3D IC

　　通常一提到3D晶片就會(huì)聯(lián)想到采用矽穿孔(TSV)連接的晶片堆疊。但事實(shí)上，還有一些技術(shù)并未采用TSV，如BeSang公司最近授權(quán)給韓國(guó)海力士(SKHynix)的垂直晶體陣列技術(shù)。此外，由半導(dǎo)體研究聯(lián)盟(SRC)贊助加州柏克萊大學(xué)最近開(kāi)發(fā)出采用低溫材料的新技術(shù)，宣稱可帶來(lái)一種低成本且靈活的3D晶片制造方法。　　該技術(shù)直接在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶片上的金屬薄層之間制造主動(dòng)元件，從而免除了垂直堆疊電晶體或以TSV堆疊晶片的開(kāi)銷。　　「對(duì)我來(lái)說(shuō)，令人振奮的部份在于它是一款單晶片的整合，而不是采用至今在
關(guān)鍵字：材料制造 3D