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將MEMS技術(shù)集成到下一代汽車(chē)安全功能中
- 傳感器技術(shù)徹底改變了汽車(chē)行業(yè),在安全性、舒適性和自動(dòng)化方面取得了重大進(jìn)步。如今,車(chē)輛擁有利用精確傳感功能來(lái)增強(qiáng)駕駛員和乘客體驗(yàn)的系統(tǒng),同時(shí)降低道路風(fēng)險(xiǎn)。MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)處于這項(xiàng)創(chuàng)新的前沿,可提供現(xiàn)代汽車(chē)應(yīng)用所需的緊湊性、準(zhǔn)確性和可靠性。支持 MEMS 的無(wú)線技術(shù)使汽車(chē)能夠共享有關(guān)交通狀況、潛在危險(xiǎn)和路線優(yōu)化的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),從而提高現(xiàn)代道路的安全性和效率?;?MEMS 的慣性測(cè)量單元 (IMU) 尤其值得注意。它們有效地解決了與大燈調(diào)平、導(dǎo)航和穩(wěn)定性控制相關(guān)的挑戰(zhàn)。它們能夠?qū)⒏呒?jí)傳感與低功
- 關(guān)鍵字: MEMS 汽車(chē)安全功能
在EDA禁令的33天里,四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除,33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止,但對(duì)于EDA公司來(lái)說(shuō),左右不了的是政治禁令,真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具,EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來(lái)芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中,迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽,將在未來(lái)十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過(guò)去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì),這些趨
- 關(guān)鍵字: EDA 3D IC 數(shù)字孿生
西門(mén)子EDA推新解決方案,助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程
- ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力,幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案,助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門(mén)
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使用MEMS傳感器的三個(gè)好處
- MEMS 傳感器開(kāi)辟了具有高精度、更高安全性和增強(qiáng)功能的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)。微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 是由電子和機(jī)械部件組成的微觀設(shè)備。許多最新的傳感器設(shè)計(jì)都利用 MEMS 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高精度和小型化,以實(shí)現(xiàn)特定目標(biāo)和創(chuàng)新。電子工程師在設(shè)計(jì)中使用基于 MEMS 的傳感器時(shí)有哪些優(yōu)勢(shì)?以下是三個(gè)好處。當(dāng)電子工程師開(kāi)發(fā)具有廣泛潛在用例的解決方案時(shí),他們可能會(huì)獲得更多的市場(chǎng)吸引力和利益相關(guān)者的興趣。這包括使用先進(jìn)的傳感器與人工智能相結(jié)合來(lái)開(kāi)發(fā)新的用例。一個(gè)例子是 Ainos Inc. 的 AI Nose,它包括來(lái)自&
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展
- 來(lái)自日本東京科學(xué)研究所 (Science Tokyo) 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 方法,即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 (2D) 中,具有與尺寸相關(guān)的限制,因此需要開(kāi)發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算,研究人員通過(guò)采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開(kāi)發(fā)了一種新穎的電源技術(shù),該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成,標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube,研究人員開(kāi)發(fā)了涉及精確和高速粘合
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AI 攻擊從MEMS麥克風(fēng)中拾取聲音
- 美國(guó)和日本的研究人員已經(jīng)確定了筆記本電腦和智能助手(如 Google Home)中使用的 MEMS 麥克風(fēng)存在安全風(fēng)險(xiǎn)。這些 MEMS 設(shè)備存在一個(gè)漏洞,即甚至可以隔著墻壁檢測(cè)到電磁輻射,使用 AI 重建麥克風(fēng)拾取的聲音。佛羅里達(dá)大學(xué)和日本電氣通信大學(xué)的研究人員還確定了解決設(shè)計(jì)缺陷的多種方法,并表示他們已經(jīng)與制造商分享了他們的工作,以尋求未來(lái)的潛在修復(fù)方法,并建議將擴(kuò)頻時(shí)鐘作為防御措施。研究人員測(cè)試了意法半導(dǎo)體的 MP34DT01-M、樓氏電子 SPM0405(現(xiàn)在是 Synaptics 的一部分)、TD
- 關(guān)鍵字: AI MEMS 麥克風(fēng) 拾取聲音
AI 攻擊開(kāi)始從 MEMS 麥克風(fēng)獲取聲音
- 美國(guó)和日本的 researchers 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)筆記本電腦和智能助手(如 Google Home)中使用的 MEMS 麥克風(fēng)存在一個(gè)安全風(fēng)險(xiǎn)。這些 MEMS 設(shè)備存在一個(gè)漏洞,即電磁輻射可以被檢測(cè)到,即使隔著墻壁,也可以使用 AI 重建麥克風(fēng)拾取的聲音。佛羅里達(dá)大學(xué)和日本電子通信大學(xué)的 researchers 還發(fā)現(xiàn)了多種解決設(shè)計(jì)缺陷的方法,并表示他們已經(jīng)與制造商分享了他們的工作,以供未來(lái)可能的修復(fù),并建議使用擴(kuò)頻時(shí)鐘作為防御措施。研究人員測(cè)試了來(lái)自意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的 MP
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器 ST 數(shù)據(jù)安全
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亞州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示,它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 (1T1C) 和三個(gè)晶體管、零電容器 (3T0C) X-DRAM 單元,這些單元是可堆疊的。該公司表示,TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間,芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字: Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
3D打印高性能射頻傳感器
- 中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法,可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1:4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽,同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) (Q 因子) 和頻率可調(diào)性,而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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優(yōu)化導(dǎo)航系統(tǒng)中的MEMS IMU數(shù)據(jù)一致性和時(shí)序
- 對(duì)于初次嘗試評(píng)估慣性檢測(cè)解決方案的人來(lái)說(shuō),現(xiàn)有的計(jì)算和I/O資源可能會(huì)限制數(shù)據(jù)速率和同步功能,進(jìn)而難以在現(xiàn)場(chǎng)合適地評(píng)估傳感器能力。常見(jiàn)的挑戰(zhàn)包括如何以MEMS IMU所需的數(shù)據(jù)速率進(jìn)行時(shí)間同步的數(shù)據(jù)采集,從而充分發(fā)揮其性能并進(jìn)行有效的數(shù)字后處理。計(jì)算平臺(tái)循環(huán)速度可能很慢(低至10 Hz),而且這些平臺(tái)往往不支持傳感器數(shù)據(jù)更新產(chǎn)生中斷來(lái)及時(shí)獲取數(shù)據(jù)。本文介紹了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員可以使用哪些技術(shù),來(lái)解決控制系統(tǒng)慢速/異步計(jì)算循環(huán)與IMU傳感器高性能數(shù)據(jù)采集和處理(>1000 Hz)之間的矛盾。
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1,000V 125A MEMS 繼電器概念驗(yàn)證

- Menlo Microsystems 今天在紐倫堡的 PICM 上展示了一種將其 MEMS 繼電器(微型機(jī)電繼電器)擴(kuò)展到“10MW 及以上配電和控制系統(tǒng)”的方法。該演示基于該公司的 MM9200 300V 10A 單刀單擲開(kāi)關(guān),展示了為美國(guó)海軍設(shè)計(jì)的 1,000V 和 10,000A 斷路器背后的技術(shù)。據(jù)該公司稱(chēng),MM9200 用于冷開(kāi)關(guān),具有 10mΩ 的接觸電阻,需要一個(gè) 9nA 的 90V 控制來(lái)保持閉合。開(kāi)關(guān)時(shí)間為 30μs?;诖说?10A 繼電器尺寸為 30 x 25 x 4mm。在 PCI
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閃迪提議HBF取代HBM,在邊緣實(shí)現(xiàn) AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新,該公司聲稱(chēng)該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM(高帶寬內(nèi)存)用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí),該公司表示,它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上,即分拆前不久,即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱(chēng)之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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APEC 2025最具顛覆性的技術(shù)
- APEC2025上最有趣和最出乎意料的兩個(gè)發(fā)現(xiàn)來(lái)自 Ferric 和 Menlo Microsystems,這兩家相對(duì)較小的公司,他們的技術(shù)可能會(huì)對(duì)未來(lái)的電源設(shè)計(jì)產(chǎn)生巨大影響。一個(gè)小小的開(kāi)關(guān)可能會(huì)引發(fā)大的變化Menlo Microsystems 基于 MEMS 的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)看似簡(jiǎn)單,與當(dāng)今基于半導(dǎo)體的傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)解決方案相比,具有許多優(yōu)勢(shì)。Menlo 的“Ideal Switch”結(jié)構(gòu)是通過(guò)使用(大部分)標(biāo)準(zhǔn) MEMS 工藝在玻璃基板上沉積靜電激活光束來(lái)制造大型陣列的
- 關(guān)鍵字: Ferric Menlo Microsystems MEMS
從樓層定位到水下探測(cè):兆易創(chuàng)新MEMS氣壓傳感器的無(wú)限可能
- 在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,傳感器作為獲取信息的關(guān)鍵部件,正以前所未有的速度改變著人們的生活與產(chǎn)業(yè)格局。MEMS氣壓傳感器,更憑借高精度、低功耗和小尺寸優(yōu)勢(shì),廣泛滲透于智能設(shè)備、工業(yè)制造等諸多領(lǐng)域,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。 在正在進(jìn)行的慕尼黑上海電子展中,兆易創(chuàng)新(N5館701展位)展示了基于GDY1122防水型高精度氣壓傳感器方案,該方案具備10ATM防水等級(jí),性能卓越,適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的精準(zhǔn)壓力測(cè)量。兆易創(chuàng)新憑借強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,構(gòu)建了豐富且差異化的MEMS氣壓傳感器產(chǎn)品組合,全面覆蓋不同市場(chǎng)需求。公司持續(xù)推動(dòng)技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 202505 樓層定位 水下探測(cè) 兆易創(chuàng)新 MEMS 氣壓傳感器
創(chuàng)新影響追蹤:MEMS傳感器如何改變游戲規(guī)則
- 我們探索了一種新的MEMS技術(shù)的潛在影響,該技術(shù)能夠可靠地測(cè)量低速率加速度和高強(qiáng)度沖擊。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傳感器是一種緊湊型設(shè)備,能夠提供對(duì)物理參數(shù)的精確且可靠的測(cè)量。它們?cè)诒姸嘈袠I(yè)中都至關(guān)重要。例如,MEMS加速度計(jì)的應(yīng)用范圍廣泛,從消費(fèi)電子到工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療保健以及汽車(chē)系統(tǒng)都有涉及。MEMS傳感器將機(jī)械組件和電氣組件集成在一個(gè)無(wú)引腳四方扁平(LGA)封裝內(nèi)。MEMS加速度計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵特性是其能夠在廣泛的輸入范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量和響應(yīng),從逐漸變化的加速度到高強(qiáng)度沖擊。ST公司的傳感器通常采用電容式傳感機(jī)制
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器 ST 意法半導(dǎo)體
3d-mems介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-mems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-mems的理解,并與今后在此搜索3d-mems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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