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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術發(fā)展的關鍵。
  • 關鍵字： 美光  DRAM  日本  EUV  

HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求

  • 三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

邁向 3D 內存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
  • 關鍵字： 3D 內存  存儲  三星  

三星和SK海力士計劃今年下半年將停產DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  內存  DRAM  HBM  

SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產線已超兩成用于 HBM 內存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
  • 關鍵字： 海力士  三星  DRAM  

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
  • 關鍵字： SK海力士  3D NAND  

第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
  • 關鍵字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

2025年HBM價格調漲約5~10%，占DRAM總產值預估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
  • 關鍵字： 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
  • 關鍵字： 聯(lián)電  3D IC  

SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產。隨著設備投資的逐步增加，新生產基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
  • 關鍵字： SK海力士  AI  DRAM  

如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領域似乎正在趨于融合。
  • 關鍵字： 3D-IC  

Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
  • 關鍵字： Zivid  3D  機器人  

存儲大廠技術之爭愈演愈烈

  • AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結構，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  

美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數(shù)百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設有桃園和臺中兩座生產據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產，但得
  • 關鍵字： DRAM  閃存  美光  
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