根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，2024年第一季DRAM產業(yè)主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元，推動多數業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現上，第一季三大原廠皆出現季減，反映產業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動Mobile
DRAM的價格漲幅領先所有應用，而Co
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淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢
IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產，明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
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南亞科技 內存 DRAM
據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經濟產業(yè)省曾表示，將利用這筆經費協(xié)助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數據中心和自動駕駛技術發(fā)展的關鍵。
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美光 DRAM 日本 EUV
三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續(xù)增，生產排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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HBM DRAM TrendForce
近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
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海力士 三星 DRAM
據TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND
Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已出現連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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DRAM NAND Flash TrendForce
根據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional
DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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HBM DRAM TrendForce
自SK海力士官網獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產。隨著設備投資的逐步增加，新生產基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網）SK海力士總經理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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SK海力士 AI DRAM
AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另據業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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存儲器 DRAM TrendForce
IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設有桃園和臺中兩座生產據點。根據 TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產，但得
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DRAM 閃存 美光
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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3D DRAM
怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業(yè)在國內最大的工廠投資建設工程。據悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，例如移動DRAM、N
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美光 DRAM
IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV)
技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器
(HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存儲 DRAM MUF技術
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