碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計入門

簡介在這篇文章中，作者分析了運(yùn)輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時的電阻無窮大，導(dǎo)通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長約

據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應(yīng)對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?！霸? 意法半導(dǎo)體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商，其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導(dǎo)體汽車和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

據(jù)外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

近期，媒體報道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”

4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。　　汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會　　有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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功率半導(dǎo)體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購訂單

今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造，而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導(dǎo)體需求的增加
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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí)，但要將數(shù)以百億計的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
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SiC功率半導(dǎo)體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達(dá)82
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GaN 出擊

自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大

EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導(dǎo)體開關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其效率高于 IGBT，且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導(dǎo)體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復(fù)合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當(dāng)前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當(dāng)前約 364.11
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英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展

日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財年英飛凌全球營收達(dá)到142.18億歐元，利潤達(dá)到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達(dá)37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
關(guān)鍵字：英飛凌數(shù)字化低碳化 SiC