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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實(shí)現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

  • 電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設(shè)備都需要直流電，這意味著進(jìn)行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負(fù)載之一。隨著世界關(guān)注能效以保護(hù)環(huán)境并管理運(yùn)營(yíng)成本，這些電源的高效運(yùn)行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負(fù)載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設(shè)備（包括電源）消耗的有用（真實(shí)）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。如果負(fù)載是純阻性負(fù)載，PF 將等于1，但任何負(fù)載內(nèi)的無功
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貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測(cè)傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測(cè)方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測(cè)器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
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揚(yáng)杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝

  • 4月8日消息，揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！

  • MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
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瑞森 SGT MOSFET 介紹及應(yīng)用

  • 最近，瑞森研發(fā)部對(duì)功率MOSFET的技術(shù)進(jìn)行了更新?lián)Q代，這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

  • 該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通，在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

  • 在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，如圖2所
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最全！20V到1700V全覆蓋的國(guó)產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃

  • 中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)：揚(yáng)杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢(shì)：專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認(rèn)證，連續(xù)數(shù)年評(píng)為中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)。國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長(zhǎng)晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢(shì)：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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聞達(dá)精芯之安，泰然創(chuàng)新于世

  • 安世半導(dǎo)體（Nexperia）是全球半導(dǎo)體行業(yè)公認(rèn)的基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)專家，持續(xù)穩(wěn)定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的高效產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 202204  MOSFET  

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型，新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢(shì)而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對(duì)這種
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

  • 在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢(shì)并滿足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)
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恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

  • 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導(dǎo)體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項(xiàng)目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車廠商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì)根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進(jìn)行開關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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