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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶圓代工

半導體整并風輪番上場IP業(yè)接棒演出

  •   隨著景氣逐漸復蘇,全球半導體市場持續(xù)出現(xiàn)整并風潮,繼晶圓代工、IC設(shè)計之后,硅智財(IP)產(chǎn)業(yè)近年來購并案亦頻傳,繼IP業(yè)者ARC被 VirageLogic買下,以及Chipidea出售給新思(Synopsys)之后,新思亦再度出手買下VirageLogic,顯示半導體業(yè)的IP 產(chǎn)業(yè)已漸趨成熟。   IP業(yè)者指出,半導體相對其他產(chǎn)業(yè)來說仍算年輕,其中IP產(chǎn)業(yè)時間更短,而要走向較穩(wěn)定的階段,則必然會出現(xiàn)整并,剩下幾個大的廠商相互競爭,而近年包括安謀(ARM)、新思(Synopsys)及Virage等公
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3G相關(guān)應用將帶動半導體產(chǎn)業(yè)上下游發(fā)展

  •   新興市場的3G應用正逐步進入主流。主流的幾家3G核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼,第三季財測也均優(yōu)于預期。由于3G相關(guān)應用將成為接下來帶動半導體產(chǎn)業(yè)上下游成長動力所在,而通訊芯片廠業(yè)績紅火,晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。   印度3G執(zhí)照在5 月底正式拍出,中國3G用戶數(shù)也在6月正式突破千萬人,由于中國及印度是全球人口最多的國家,因此中國及印度將成為接下來通訊芯片廠兵家必爭之地。另外,中國3G開臺后,目前中國移動、中國聯(lián)通、中國電信除了積極布建基地臺外,也把布建范圍
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臺積電、全球晶圓激戰(zhàn)ARM平臺 20納米世代競賽提前啟動

  •   全球晶圓(Global Foundries)挑戰(zhàn)臺積電晶圓代工市場地位來勢洶洶,2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發(fā)28納米制程,挑戰(zhàn)臺積電在先進制程領(lǐng)先優(yōu)勢,然臺積電亦不干示弱,正式宣布與ARM簽訂長期合約,將技術(shù)世代延續(xù)至28與20納米制程,建立更長遠合作關(guān)系,在看好ARM平臺于可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展?jié)摿?,臺積電與全球晶圓雙方熱戰(zhàn)互不相讓。   臺積電指出,已與ARM簽訂長期合約,在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設(shè)計開發(fā),從目前技術(shù)世代延伸到未來20納米制程,以ARM處理器為設(shè)計核心,并
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芯片廠搶灘中印 臺積電最受寵

  •   新興市場的3G應用正逐步發(fā)燒,帶動3G基地臺主要核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼,第三季財測也均優(yōu)于預期,由于3G相關(guān)應用將成為接下來帶動半導體產(chǎn)業(yè)上下游成長動力所在,而通訊芯片廠業(yè)績紅火,晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。   受惠于中國正在積極的布建3G環(huán)境,3G基地臺零組件在今年第二季需求相當強勁,帶動主要核心芯片供貨商賽靈思(Xilinx)及阿爾特拉(Altera)第二季財報繳出亮麗成績。其中賽靈思預估今年第三季營收季增率將達3%-7%;另外,阿爾特拉也預估本季
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臺積電拒絕接受STC.UNM的專利侵權(quán)指控

  •   臺積電日前表示,美國半導體公司STC.UNM針對公司的專利侵權(quán)指控是不實指控。   STC.UNM是新墨西哥大學(UniversityofNewMexico)旗下一家負責技術(shù)轉(zhuǎn)讓的公司。   臺積電在一份聲明中說,公司將積極應訴,拒絕接受美國國際貿(mào)易委員會(U.S.InternationalTradeCommission)調(diào)查中的有關(guān)指控。   STC在6月底針對臺積電提起訴訟,指控臺積電進口有侵權(quán)行為產(chǎn)品的做法有違專利法的規(guī)定,屬不正當競爭行為。   STC說,這項專利指的是微影制程技術(shù)(l
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臺積電與ARM簽訂長約 拓展28及20納米制程

  •   7月20日消息,晶圓代工廠臺積電與ARM公司簽訂長期合約,在臺積制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設(shè)計開發(fā),并規(guī)劃共同拓展28納米與20納米制程。   雙方合作內(nèi)容包括,臺積將Cortex系列處理器及CoreLink AMBA協(xié)定系列完成制程最佳化實作。同時,也將與ARM合作,開發(fā)28奈米與20奈米制程嵌入式記憶體及標準元件庫等實體智財產(chǎn)品。   臺積電研究發(fā)展副主管許夫傑表示,雙方合作預期將可強化開放創(chuàng)新平臺價值,并促進整個半導體供應鏈創(chuàng)新。而未來系統(tǒng)單晶片應用客戶,將獲致最佳的產(chǎn)品效能。
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晶圓代工競逐高階制程 設(shè)備大廠受惠

  •   晶圓代工搶攻高階制程市占率,積極擴充產(chǎn)能,臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設(shè)備,帶動半導體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰,包括應用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺,不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾,2010年營收亦可望創(chuàng)佳績。   根據(jù)市場機構(gòu)估計,到 2011年第4季時,臺積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產(chǎn)能總和的年增率可大幅成長約3倍。光是
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ASML整合微影方案獲意法采用

  •   受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程,對浸潤式顯影機臺需求大增,讓半導體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程,制程復雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。   ASML指出,隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂,生產(chǎn)時程亦拉得更長,良率更難提升,制程容許度(p
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臺積電中國松江8英寸Fab10工廠月產(chǎn)能將擴增至6萬片

  •   臺積電公司近日透露,為了滿足大陸市場的需求,公司將擴增其設(shè)在上海松江的8英寸廠Fab10的產(chǎn)能。臺積電公司高級副總裁劉德音表示,目前該工廠的月產(chǎn) 能為2萬片(按8英寸計算),而公司的計劃是將其月產(chǎn)能增加到6萬片,不過他并沒有透露產(chǎn)能增加計劃將于何時完成。   另注:   --WaferTech為臺積電在7年前于美華盛頓州設(shè)立的合資企業(yè)   --SSMC為臺積電在新加坡與NXP公司合資的公司   --TSMC China則為臺積電在中國上海成立的公司,文中所提8英寸Fab10工廠即屬此分公司
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GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)

  •   繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后,全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布,投入EUV微影技術(shù),預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8),將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。   由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù),讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米,不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源,走到22奈米已
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臺積電資本支出將超越英特爾

  •   臺積電董事長張忠謀看好半導體市場景氣持續(xù)復蘇,決定加大12吋廠擴產(chǎn)力道,包括竹科Fab12第5期第4季投產(chǎn),南科Fab14明年上半年投產(chǎn),及中科 Fab15加速建廠等。設(shè)備商預估,臺積電應會在月底法說會中再度上修今年資本支出,以目前投資力道來看,有機會上看55億美元。若果達此水平,則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標。   臺積電原本預期今年資本支出達48億美元,但今年以來12吋廠高階制程產(chǎn)能一直供不應求,下半年雖然法人及分析師認為景氣復蘇力道將趨緩,不過臺積電第3季先進制程接單仍然滿載,第4季
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TSMC超大型12英寸晶圓廠動土 2012年投產(chǎn)

  •   TSMC于16日在中國臺灣臺中科學園區(qū)舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮,為TSMC“擴大投資臺灣”的承諾寫下另一個重要的里程碑。   動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執(zhí)行長主持。張忠謀董事長表示,科學園區(qū)在臺灣高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中,扮演關(guān)鍵的角色,也是TSMC之所以能夠“立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業(yè)發(fā)光”的重要支持。過去二十幾年來,TSMC陸續(xù)在竹科及南科茁壯成長,如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建,
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)

  •   X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管,對于達到100V的多運作電壓,導通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
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臺積電將建月產(chǎn)能10萬片芯片廠

  •   臺積電位于臺中科學園區(qū)的12寸廠本周五(16日)舉行動土典禮,將由董事長張忠謀親自主持。這座簡稱為“15廠”的12吋廠,將朝月產(chǎn)能10萬片的超大晶圓廠發(fā)展,為臺積電營運增加增長動能,持續(xù)在全球芯片工產(chǎn)業(yè)拓大市占率。   臺積電董事長張忠謀在今年初說明會中首度對外透露將在中科內(nèi)建全新的12寸芯片廠,并預計今年中動土,因此臺積電選在16日對外舉行動土典禮。因動土典禮將由張忠謀親自主持,預期他將對外說明臺積電對15個廠的整體投資金額,具體的量產(chǎn)時程以及發(fā)展重點。   臺積電規(guī)劃,
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臺積電第三間12英寸工廠Fab15本月16日舉行動工儀式

  •   臺積電最近對外發(fā)放了一批動工儀式邀請函,邀請函稱該公司定于本月16日在臺灣臺中科技園區(qū)將舉辦其Fab15工廠的破土動工儀式。據(jù)臺積電CEO張忠謀 今年4月份透露,臺積電Fab15工廠建成的初期將采用適合于40nm制程的規(guī)格進行布置,不過未來這間工廠將負責為臺積電開發(fā)28nm及更高級別的制程 技術(shù)。   除了興建Fab15工廠之外,臺積電同時還在積極發(fā)展其現(xiàn)有兩家12英寸工廠的制程技術(shù)。今年第三季度,臺積電Fab12工廠第五期擴建工程將正式投入生產(chǎn)使用;而Fab14工廠的第四期擴建工程也將于今年年底前
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晶圓代工介紹

晶圓代工或晶圓專工(Foundry),半導體產(chǎn)業(yè)的一種營運模式,專門從事半導體晶圓制造生產(chǎn),接受其他IC設(shè)計公司委托制造,而不自己從事設(shè)計的公司。有些擁有晶圓廠的半導體公司,如英特爾(Intel)、AMD等,會因產(chǎn)能或成本等因素,也會將部份產(chǎn)品委由晶圓代工公司生產(chǎn)制造。臺積電、聯(lián)電為世界排名第一與第二的晶圓代工公司。反之,專門從事IC電路設(shè)計而不從事生產(chǎn)且無半導體廠房的公司稱為無廠半導體公司(Fa [ 查看詳細 ]

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