工藝制程 文章 最新資訊
非對稱功率偏置對關(guān)鍵等離子體半導(dǎo)體工藝
- 葉戈爾·Y·薩莫伊連科 , 博士, 高級工程師, 先進(jìn)能源工業(yè)公司, 科羅拉多州弗萊森斯托馬斯·G·詹金斯 , 博士, 高級科學(xué)家, Tech-X 公司, 科羅拉多州博爾德丹尼斯·M·肖 , 博士, 技術(shù)院士, 先進(jìn)能源工業(yè)公司, 科羅拉多州弗萊森斯半導(dǎo)體芯片制造中的許多關(guān)鍵步驟使用電離氣體（等離子體）來構(gòu)建構(gòu)成微電子電路的復(fù)雜電路層。等離子體既用于添加材料（“沉積”）也用于去除材料（“蝕刻”）。所需結(jié)果取決于所使用的氣體，但大多數(shù)等離子體設(shè)備配置為施加電力以實(shí)現(xiàn)兩個關(guān)鍵目標(biāo)
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據(jù)報道，英特爾可能取消對代工客戶的 18A 工藝節(jié)點(diǎn)
- 英特爾首席執(zhí)行官李卜天正考慮停止向代工客戶推廣公司的 18A 制造技術(shù)（1.8 納米級），轉(zhuǎn)而將公司的努力轉(zhuǎn)向其下一代 14A 制造工藝（1.4 納米級），以爭取像蘋果或英偉達(dá)這樣的大客戶的訂單，據(jù)路透社報道。如果這一轉(zhuǎn)變發(fā)生，將是英特爾連續(xù)第二年優(yōu)先考慮的節(jié)點(diǎn)。這一提議的調(diào)整可能導(dǎo)致重大的財務(wù)后果，并改變英特爾代工業(yè)務(wù)的軌跡，因?yàn)樗鼘⑹乖摴驹趲啄陜?nèi)實(shí)際上退出代工市場。英特爾告知我們，這些信息是基于市場猜測。然而，發(fā)言人提供了一些關(guān)于公司路線圖的額外見解，我們已在下方補(bǔ)充?！拔覀儾粫?/li>
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2.5D/3D 芯片技術(shù)將推動半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進(jìn)步
- 來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員 conceptualised 一種創(chuàng)新的 2.5D/3D 芯片集成方法，稱為 BBCube。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝（SiP）方法，其中半導(dǎo)體芯片使用焊點(diǎn)排列在二維平面（2D）上，存在尺寸相關(guān)的限制，需要開發(fā)新的芯片集成技術(shù)。為了高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆疊計算架構(gòu)開發(fā)了一種新型電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接堆疊的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器上放置的處理單元組成，這是 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速鍵合技
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不再是3nm！曝iPhone 18首發(fā)臺積電2nm工藝制程
- 3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據(jù)悉，臺積電已經(jīng)開始了2nm工藝的試產(chǎn)工作，該項目在新竹寶山工廠進(jìn)行，初期良率是60%，預(yù)計在2025年下半年開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。之前摩根士丹利發(fā)布報告稱，2025年臺積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬片試產(chǎn)規(guī)模，增加至5萬片左右的量產(chǎn)規(guī)模。由于產(chǎn)能爬坡以及良率
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美擬對中國成熟制程芯片加征關(guān)稅 專家：美國處于兩難局面
- 3月11日消息，美國貿(mào)易代表辦公室將于當(dāng)?shù)貢r間11日，就中國大陸制造的成熟制程芯片（傳統(tǒng)芯片）舉行聽證會。此舉可能將會推動特朗普政府對來自中國大陸的傳統(tǒng)芯片加征更多的關(guān)稅。據(jù)媒體報道，中國社科院美國問題專家呂祥采訪時表示，目前中國在存儲芯片方面的產(chǎn)能和技術(shù)都在顯著提高，美國試圖限制中國的出口和產(chǎn)能發(fā)展，但中國生產(chǎn)的高性能芯片在全球市場具有很大優(yōu)勢，目前美國處于兩難的局面。據(jù)了解，早在2024年12月23日，前拜登政府就宣布，要求美國貿(mào)易代表辦公室發(fā)起301條款調(diào)查，以審查中國將傳統(tǒng)半導(dǎo)體作為主導(dǎo)地位的目標(biāo)
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中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％！西方企業(yè)哀嘆沒法活了
- 2月27日消息，雖然我國在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰也不怕了，憑借龐大的產(chǎn)能和超低的價格大殺四方，直接讓西方企業(yè)惶恐不已。成熟工藝雖然不適合AI、HPC等前沿計算領(lǐng)域，但非常適合廣闊的消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，而且成本非常低，即便殺價也能帶來豐厚的利潤，轉(zhuǎn)而支撐尖端工藝研發(fā)。就算是天字一號代工廠的臺積電，成熟工藝產(chǎn)能也占據(jù)相當(dāng)大的份額。不過進(jìn)入2024年之后，尤其是到了2025年，西方晶圓廠驚恐地發(fā)現(xiàn)，中國廠商的價格戰(zhàn)一輪接著一輪，尤其是美國對中國先進(jìn)
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臺積電拿下決定性戰(zhàn)役
- 在2nm工藝制程的決戰(zhàn)上，臺積電又一次跑到了前面。12月6日，據(jù)中國臺灣媒體《經(jīng)濟(jì)日報》報道，臺積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產(chǎn)工作。 據(jù)悉，此次試生產(chǎn)的良品率高達(dá)60%，大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期目標(biāo)。值得一提的是，按照臺積電董事長魏哲家曾在三季度法說會上的表態(tài)，2nm制程的市場需求巨大，客戶訂單未來可能會多于3nm制程。從目前已知信息來看，臺積電已經(jīng)規(guī)劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，在滿產(chǎn)狀態(tài)下，四座工廠在2026年年初的2nm總產(chǎn)能將達(dá)12萬片晶圓。在三星工藝開
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曝iPhone 17全系首發(fā)3nm A19系列芯片：無緣臺積電2nm工藝制程
- 11月19日消息，分析師Jeff Pu在報告中提到，iPhone 17、iPhone 17 Air首發(fā)搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首發(fā)搭載A19 Pro芯片，這兩顆芯片都是基于臺積電第三代3nm制程（N3P）打造。據(jù)悉，iPhone 15 Pro系列首發(fā)的A17 Pro基于臺積電第一代3nm制程（N3B）打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于臺積電第二代3nm制程（N3E）打造。相比N3E，采用N3P工藝打造的芯片擁有更高的晶體管
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國產(chǎn)晶圓代工新突破：晶合集成 28nm 邏輯芯片通過驗(yàn)證，為順利量產(chǎn)鋪路
- IT之家 10 月 10 日消息，合肥晶合集成電路股份有限公司（簡稱“晶合集成”）10 月 9 日發(fā)布公告，晶合集成在新工藝研發(fā)上取得重要進(jìn)展。剛剛過去的 2024 年第三季度，晶合集成通過 28 納米邏輯芯片功能性驗(yàn)證，成功點(diǎn)亮 TV。既為晶合集成后續(xù) 28 納米芯片順利量產(chǎn)鋪平了道路，也加速了 28 納米制程技術(shù)商業(yè)化的步伐。在 28 納米邏輯芯片功能性驗(yàn)證中，晶合集成與戰(zhàn)略客戶緊密合作開發(fā)，將芯片中數(shù)字模塊和模擬模塊進(jìn)行同步功能驗(yàn)證，確保該工藝平臺的性能和穩(wěn)定性。晶合集成 28 納米邏輯平
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0.75 NA 突破芯片設(shè)計極限！Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖：2030 年推出，每小時產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機(jī)構(gòu) imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機(jī)，目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時安特衛(wèi)普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中，表示：“從長遠(yuǎn)來看，我們需要改進(jìn)光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”
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三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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半導(dǎo)體研究公司SRC宣布2024年研究招標(biāo)，提供1380萬美元的資金機(jī)會
- 半導(dǎo)體研究公司（SRC），作為一個一流的研究和人才培養(yǎng)聯(lián)盟，宣布了1380萬美元的資金機(jī)會。研究招標(biāo)將于4月初開始，并持續(xù)至6月。釋放招標(biāo)的研究項目包括納米制造材料與工藝（4月10日）；封裝+異質(zhì)集成封裝研究中心（4月10日）；硬件安全（5月7日）；計算機(jī)輔助設(shè)計與測試（5月7日）；以及環(huán)境、安全和健康（5月7日）。有關(guān)詳細(xì)信息和提交信息將于2024年4月10日起在https://src.secure-platform.com/a/page/GetFunded 上提供。我們致力于通過培養(yǎng)本科生、碩士生和博
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大基金二期入股華力微電子
- 大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，據(jù)天眼查APP顯示，近日，上海華力微電子有限公司發(fā)生工商變更：新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司為股東，公司注冊資本由約220.7億人民幣增資至約284億人民幣，增幅約28.68%。公開資料顯示，上海華力微電子有限公司成立于2010年1月，擁有先進(jìn)的工藝制程和完備的解決方案，專注于為設(shè)計公司、IDM公司及其他系統(tǒng)公司提供65/55納米至28/22納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的一站式芯片制造技術(shù)服務(wù)。12月1日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布公告稱，全資子公司華虹宏力與華力微電子簽訂《技術(shù)開發(fā)協(xié)議》。華力
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臺積電5nm制程蓄勢待發(fā) 三星恐望塵莫及
- 4月4日消息，臺積電宣布在開放創(chuàng)新平臺之下推出5nm設(shè)計架構(gòu)的完整版本，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)支持下一代高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5nm系統(tǒng)單芯片設(shè)計，目標(biāo)鎖定擁有廣闊發(fā)展前景的5G與人工智能（AI）市場。目前全球7nm以下先進(jìn)制程賽場只剩下臺積電、三星以及英特爾三個選手。其中臺積電搶先進(jìn)入7nm制程，且支持極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版（7nm+）制程已經(jīng)按原計劃于3月底量產(chǎn)，全程采用EUV技術(shù)的5nm制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)，臺積電制程技術(shù)已經(jīng)與英特爾平起平坐，并把三星甩在身后，后者預(yù)計2020年才會進(jìn)入7nm E
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